english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
خازن MOS با ضریب Q فوق‌العاده بالا 100 پیکوفاراد 30 ولت (HACC101S30V300) — چیپ RF تک لایه مینیاتوری با ESR پایین
خلاصه: هوآن HACC101S30V300 یک خازن MOS تک لایه با ظرفیت 100 پیکوفاراد ±10% و ولتاژ نامی 30 ولت DC است که دارای ضریب Q فوق‌العاده بالا (Q>2000 @ 1 مگاهرتز، Q>300 @ 1 گیگاهرتز) و ESR فوق‌العاده پایین ( <0.08 اهم @ 1 گیگاهرتز) در بسته‌بندی دای برهنه قابل سیم‌بندی با ابعاد فوق‌العاده مینیاتوری 0.40 × 0.40 × 0.15 میلی‌متر است. این خازن برای تطبیق امپدانس RF با تلفات کم، مسدود کردن DC و بای‌پس در مواردی که مساحت برد و تلفات درج حیاتی هستند، طراحی شده است.خازن MOS تک لایه چیست؟یک خازن MOS (خازن فلز-اکسید-نیمه‌هادی) یک خازن تک لایه است که از دی‌الکتریک دی‌اکسید سیلیکون (SiO2) رشد یافته حرارتی بر روی یک زیرلایه سیلیکونی با مقاومت بالا، با الکترودهای فلزی در بالا و پایین استفاده می‌کند. از آنجایی که هیچ پشته الکترود داخلی وجود ندارد، جریان به صورت عمودی از یک لایه دی‌الکتریک عبور می‌کند، که منجر به اندوکتانس سری معادل ذاتی (ESL) نزدیک به صفر و فرکانس تشدید خودی (SRF) بالا در مقایسه با خازن‌های سرامیکی چند لایه (MLCC) می‌شود.مزایای کلیدی عملکرد
ضریب Q فوق‌العاده بالا
— Q > 2000 در 1 مگاهرتز و Q > 300 در 1 گیگاهرتز. زیرلایه شناور (بیش از 1000 اهم·سانتی‌متر) تلفات جریان گردابی را به حداقل می‌رساند، بنابراین تلفات درج شبکه ناچیز است و سلف تطبیق، نه خازن، بر تلفات کل غالب است.ESR فوق‌العاده پایین — ESR معمولاً کمتر از 0.08 اهم در 1 گیگاهرتز، تلفات I²R را در مسیرهای بای‌پس تقویت‌کننده توان و مسدود کننده DC به حداقل می‌رساند.اپوکسی طلایی یا رسانا — دای برهنه 0.40 میلی‌متری تقریباً 36% از فضای اشغال شده توسط یک چیپ استاندارد 0.50 میلی‌متری را اشغال می‌کند و تراکم کانال را در پیش‌باند‌های RF چند کاناله افزایش می‌دهد.
اندوکتانس ذاتی نزدیک به صفر
- — مسیر جریان عمودی تک لایه منجر به ESL چیپ ذاتی کمتر از 0.03 نانو‌هانری می‌شود؛ تشدید سیستم توسط سیم اتصال کنترل شده توسط کاربر تنظیم می‌شود.C-V پایدار
- — SiO پارالکتریک2
- ضریب بایاس DC ناچیز (<10 ppm/V) و پیری فرالکتریک ندارد.مشخصات الکتریکی (T = 25 درجه سانتیگراد مگر اینکه خلاف آن ذکر شده باشد)
- پارامترمقدار
- شرایطظرفیت خازنیاپوکسی طلایی یا رسانا1 مگاهرتز، 1.0 ولت RMSولتاژ نامی (DC)
30 ولت
| پیوسته | ضریب Q | >2000 @ 1 مگاهرتز / >300 @ 1 گیگاهرتز |
| معمولی | ESR @ 1 گیگاهرتز | <0.08 اهم |
| معمولی | ضریب اتلاف | ≤0.15% |
| 1 کیلوهرتز، 1.0 ولت RMS | ESL چیپ ذاتی | <0.1% |
| جداسازی شده | فرکانس تشدید خودی | <0.1% |
| معمولی | مقاومت عایقی | ≥10⁴ مگا اهم |
| در ولتاژ نامی، 25 درجه سانتیگراد | جریان نشتی | در ولتاژ نامی |
| جذب دی‌الکتریک | <0.1% | |
| 1 کیلوهرتز | ابعاد چیپ | 0.40 × 0.40 × 0.15 میلی‌متر |
| ±25 میکرومتر | <10 nA @ 25°C> | دی‌الکتریک | SiO حرارتی
| 2 | ، 300 نانومتر | پارالکتریک |
| دمای عملیاتی | -55 درجه سانتیگراد تا +125 درجه سانتیگراد | تمام پارامتری |
| نصب | قابل سیم‌بندی / اتصال دای یوتکتیکاپوکسی طلایی یا رسانا | کاربردهای معمول |
| شبکه‌های تطبیق امپدانس و بلوک‌های DC تقویت‌کننده توان RF | بای‌پس با تلفات کم و جداسازی تغذیه بالای 1 گیگاهرتز | مونتاژهای پیش‌باند و ماژول RF چند کاناله |
| مدارهای مخزن نوسانگر (VCO) و PLL که به یک المان با Q بالا و تلفات کم نیاز دارند | تجهیزات تست و اندازه‌گیری و مونتاژ کارت پروب |
