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अल्ट्रा-हाई क्यू फैक्टर 100 पीएफ 30 वी एमओएस कैपेसिटर (HACC101S30V300) — लो ईएसआर मिनिएचर सिंगल लेयर आरएफ चिप
सारांश: होआन HACC101S30V300 एक 100 पीएफ ±10% सिंगल-लेयर एमओएस कैपेसिटर है जो 30 वी डीसी पर रेटेड है, जो एक अल्ट्रा-हाई क्यू फैक्टर (क्यू>2000 @ 1 मेगाहर्ट्ज, क्यू>300 @ 1 गीगाहर्ट्ज) और अल्ट्रा-लो ईएसआर (<0.08 ओहम @ 1 गीगाहर्ट्ज) एक अल्ट्रा-मिनिएचर 0.40 × 0.40 × 0.15 मिमी वायर-बॉन्डेबल बेयर-डाई पैकेज में प्रदान करता है। यह कम-हानि आरएफ प्रतिबाधा मिलान, डीसी अवरोधन और बाईपास के लिए इंजीनियर किया गया है जहां बोर्ड क्षेत्र और सम्मिलन हानि महत्वपूर्ण हैं।
सिंगल-लेयर एमओएस कैपेसिटर क्या है?
एक एमओएस कैपेसिटर (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर कैपेसिटर) एक सिंगल-लेयर कैपेसिटर है जो उच्च-प्रतिरोधकता सिलिकॉन सब्सट्रेट पर थर्मल रूप से विकसित सिलिकॉन डाइऑक्साइड (SiO, 300 एनएम) डाइइलेक्ट्रिक का उपयोग करता है, जिसमें ऊपर और नीचे धातु इलेक्ट्रोड होते हैं। क्योंकि कोई आंतरिक इलेक्ट्रोड स्टैक नहीं है, करंट एक डाइइलेक्ट्रिक परत के माध्यम से लंबवत रूप से प्रवाहित होता है, जिससे मल्टीलेयर सिरेमिक कैपेसिटर (एमएलसीसी) की तुलना में लगभग शून्य आंतरिक समतुल्य श्रृंखला इंडक्शन (ईएसएल) और उच्च स्व-अनुनाद आवृत्ति (एसआरएफ) मिलती है।
मुख्य प्रदर्शन लाभ
- अल्ट्रा-हाई क्यू फैक्टर — 1 मेगाहर्ट्ज पर क्यू > 2000 और 1 गीगाहर्ट्ज पर क्यू > 300। फ्लोट-ज़ोन सब्सट्रेट (>1000 ओहम·सेमी) एडी-करंट हानि को कम करता है, इसलिए नेटवर्क सम्मिलन हानि नगण्य है और मिलान इंडक्टर, कैपेसिटर नहीं, कुल हानि पर हावी होता है।
- अल्ट्रा-लो ईएसआर — 1 गीगाहर्ट्ज पर ईएसआर आमतौर पर 0.08 ओहम से कम होता है, जो पावर-एम्पलीफायर बाईपास और डीसी-ब्लॉकिंग पथों में आई²आर हानि को कम करता है।
- मिनिएचर चिप फॉर्म फैक्टर — 0.40 मिमी बेयर डाई एक मानक 0.50 मिमी चिप के फुटप्रिंट का लगभग 36% लेता है, जिससे मल्टी-चैनल आरएफ फ्रंट-एंड में चैनल घनत्व बढ़ता है।
- लगभग शून्य आंतरिक इंडक्शन — सिंगल-लेयर वर्टिकल करंट पाथ 0.03 एनएच से कम आंतरिक चिप ईएसएल उत्पन्न करता है; सिस्टम अनुनाद उपयोगकर्ता-नियंत्रित बॉन्ड वायर द्वारा निर्धारित किया जाता है।
- स्थिर सी-वी — पैराइलेक्ट्रिक एसआईओ, 300 एनएम एक नगण्य डीसी-बायस गुणांक (<10 पीपीएम/वी) और कोई फेरोइलेक्ट्रिक एजिंग नहीं दिखाता है।विद्युत विनिर्देश (टी = 25 डिग्री सेल्सियस जब तक कि अन्यथा नोट न किया गया हो)
पैरामीटर
| मान | स्थिति | कैपेसिटेंस |
| 100 पीएफ ±10% (±5% उपलब्ध) | 1 मेगाहर्ट्ज, 1.0 वीआरएमएस | रेटेड वोल्टेज (डीसी) |
| 30 वी | निरंतर | क्यू फैक्टर |
| 1 मेगाहर्ट्ज पर >2000 / 1 गीगाहर्ट्ज पर >300 | विशिष्ट | इंसुलेशन रेजिस्टेंस |
| <0.08 ओहम | विशिष्ट | इंसुलेशन रेजिस्टेंस |
| ≤0.15% | 1 किलोहर्ट्ज़, 1.0 वीआरएमएस | आंतरिक चिप ईएसएल |
| <0.03 एनएच | डी-एम्बेडेड | सेल्फ-रेजोनेंट फ्रीक्वेंसी |
| 8 गीगाहर्ट्ज से अधिक चिप-लेवल; 0.5 मिमी बॉन्ड वायर के साथ 1.2 गीगाहर्ट्ज से अधिक | विशिष्ट | इंसुलेशन रेजिस्टेंस |
| ≥10⁴ एमओहम | रेटेड वोल्टेज पर, 25 डिग्री सेल्सियस | लीकेज करंट |
| रेटेड वोल्टेज पर | <10 nA @ 25°C> | डाइइलेक्ट्रिक अवशोषण |
| <0.1% | 1 किलोहर्ट्ज़ | चिप आयाम |
| 0.40 × 0.40 × 0.15 मिमी | ±25 माइक्रोमीटर | डाइइलेक्ट्रिक |
| थर्मल एसआईओ | 2, 300 एनएमपैराइलेक्ट्रिक | ऑपरेटिंग तापमान |
| -55 डिग्री सेल्सियस से +125 डिग्री सेल्सियस | पूर्ण पैरामीट्रिक | माउंटिंग |
| वायर बॉन्डेबल / यूटेक्टिक डाई अटैच | ऑउएसएन या कंडक्टिव एपॉक्सी |
आरएफ पावर-एम्पलीफायर प्रतिबाधा मिलान नेटवर्क और डीसी ब्लॉक
- 1 गीगाहर्ट्ज से ऊपर लो-लॉस बाईपास और सप्लाई डिकपलिंग
- मल्टी-चैनल आरएफ फ्रंट-एंड और मॉड्यूल असेंबली
- ऑसिलेटर (वीसीओ) और पीएलएल टैंक सर्किट जिन्हें उच्च-क्यू, लो-लॉस तत्व की आवश्यकता होती है
- टेस्ट और मापन उपकरण और प्रोब-कार्ड असेंबली
