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Ultra-Hoch-Q-Faktor 100 pF 30 V MOS-Kondensator (HACC101S30V300) — Niedrig-ESR Miniatur-Einzelschicht-HF-Chip
Zusammenfassung: Der Hoan HACC101S30V300 ist ein 100 pF ±10% Einzelschicht-MOS-Kondensator mit einer Nennspannung von 30 V DC, der einen Ultra-Hoch-Q-Faktor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) und Ultra-Niedrig-ESR (<0,08 Ω @ 1 GHz) in einem Ultra-Miniatur 0,40 × 0,40 × 0,15 mm Drahtbondfähigen Bare-Die-Gehäuse liefert. Er ist für verlustarme HF-Impedanzanpassung, DC-Blockierung und Bypass konzipiert, bei denen Platinenfläche und Einfügedämpfung kritisch sind.
Was ist ein Einzelschicht-MOS-Kondensator?
Ein MOS-Kondensator (Metall-Oxid-Halbleiter-Kondensator) ist ein Einzelschicht-Kondensator, der eine thermisch gewachsene Siliziumdioxid (SiO2) Dielektrikum auf einem Siliziumsubstrat mit hohem spezifischem Widerstand verwendet, mit Metallelektroden oben und unten. Da kein interner Elektrodenstapel vorhanden ist, fließt der Strom vertikal durch eine Dielektrikumsschicht, was eine nahezu null intrinsische äquivalente Serieninduktivität (ESL) und eine hohe Eigenresonanzfrequenz (SRF) im Vergleich zu mehrschichtigen Keramikkondensatoren (MLCCs) ergibt.
Hauptleistungsmerkmale
- Ultra-Hoch-Q-Faktor — Q > 2000 bei 1 MHz und Q > 300 bei 1 GHz. Das Float-Zone-Substrat (>1000 Ω·cm) minimiert Wirbelstromverluste, sodass die Netzwerkeinfügedämpfung vernachlässigbar ist und der Anpassungsinduktor, nicht der Kondensator, den Gesamtverlust dominiert.
- Ultra-Niedrig-ESR — ESR typischerweise unter 0,08 Ω bei 1 GHz, minimiert I²R-Verluste in Leistungsverstärker-Bypass- und DC-Blockierpfaden.
- Miniatur-Chip-Formfaktor — der 0,40 mm Bare Die belegt etwa 36% der Grundfläche eines Standard 0,50 mm Chips und erhöht die Kanaldichte in Mehrkanal-HF-Frontends.
- Nahezu null intrinsische Induktivität — Einzelschicht-Vertikalstrompfad ergibt eine intrinsische Chip-ESL unter 0,03 nH; die Systemresonanz wird durch den benutzergesteuerten Bonddraht eingestellt.
- Stabile C-V — paraelektrisches SiO2 zeigt einen vernachlässigbaren DC-Bias-Koeffizienten (<10 ppm/V) und keine ferroelektrische Alterung.
Elektrische Spezifikationen (T = 25°C, sofern nicht anders angegeben)
| Parameter | Wert | Bedingung |
| Kapazität | 100 pF ±10% (±5% verfügbar) | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Nennspannung (DC) | 30 V | Kontinuierlich |
| Q-Faktor | >2000 @ 1 MHz / >300 @ 1 GHz | Typisch |
| ESR @ 1 GHz | <0,08 Ω | Typisch |
| Verlustfaktor | ≤0,15% | 1 kHz, 1,0 Vrms |
| Intrinsische Chip-ESL | <0,03 nH | De-embedded |
| Eigenresonanzfrequenz | >8 GHz Chip-Ebene; >1,2 GHz mit 0,5 mm Bonddraht | Typisch |
| Isolationswiderstand | ≥10⁴ MΩ | Bei Nennspannung, 25°C |
| Leckstrom | <10 nA @ 25°C> | Bei Nennspannung |
| Dielektrische Absorption | <0,1% | 1 kHz |
| Chip-Abmessungen | 0,40 × 0,40 × 0,15 mm | ±25 µm |
| Dielektrikum | Thermisch SiO2, 300 nm | Paraelektrisch |
| Betriebstemperatur | -55°C bis +125°C | Voll parametrisch |
| Montage | Drahtbondfähig / Eutektische Die-Befestigung | AuSn oder leitfähiger Epoxidharz |
Typische Anwendungen
- HF-Leistungsverstärker-Impedanzanpassungsnetzwerke und DC-Blöcke
- Verlustarme Bypass- und Versorgungskopplung über 1 GHz
- Mehrkanal-HF-Frontend- und Modulbaugruppen
- Oszillator (VCO) und PLL-Tankkreise, die ein Hoch-Q-, verlustarmes Element erfordern
- Prüf- und Messtechnik- und Prüfkartenbaugruppen
