english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
আল্ট্রা-হাই Q ফ্যাক্টর 100 pF 30 V MOS ক্যাপাসিটর (HACC101S30V300) — লো ESR মিনিয়াচার সিঙ্গেল লেয়ার RF চিপ
সারসংক্ষেপ: হোয়ান HACC101S30V300 হল একটি 100 pF ±10% সিঙ্গেল-লেয়ার MOS ক্যাপাসিটর যা 30 V DC রেটযুক্ত, যা একটি আল্ট্রা-হাই Q ফ্যাক্টর (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) এবং আল্ট্রা-লো ESR (<0.08 Ω @ 1 GHz) একটি আল্ট্রা-মিনিয়াচার 0.40 × 0.40 × 0.15 মিমি ওয়্যার-বন্ডেবল বেয়ার-ডাই প্যাকেজে সরবরাহ করে। এটি লো-লস RF ইম্পিডেন্স ম্যাচিং, ডিসি ব্লকিং এবং বাইপাসের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যেখানে বোর্ডের ক্ষেত্রফল এবং ইনসারশন লস গুরুত্বপূর্ণ।
সিঙ্গেল-লেয়ার MOS ক্যাপাসিটর কী?
একটি MOS ক্যাপাসিটর (মেটাল-অক্সাইড-সেমিকন্ডাক্টর ক্যাপাসিটর) হল একটি সিঙ্গেল-লেয়ার ক্যাপাসিটর যা একটি উচ্চ-প্রতিরোধী সিলিকন সাবস্ট্রেটের উপর থার্মালি গ্রোন সিলিকন ডাইঅক্সাইড (SiO, 300 nm) ডাইইলেকট্রিক ব্যবহার করে, উপরে এবং নীচে মেটাল ইলেকট্রোড সহ। যেহেতু কোনও অভ্যন্তরীণ ইলেকট্রোড স্ট্যাক নেই, তাই কারেন্ট একটি ডাইইলেকট্রিক স্তরের মধ্য দিয়ে উল্লম্বভাবে প্রবাহিত হয়, যা মাল্টিলেয়ার সিরামিক ক্যাপাসিটর (MLCCs) এর তুলনায় প্রায় শূন্য অন্তর্নিহিত সমতুল্য সিরিজ ইন্ডাকট্যান্স (ESL) এবং একটি উচ্চ সেল্ফ-রেজোনেন্ট ফ্রিকোয়েন্সি (SRF) প্রদান করে।
মূল পারফরম্যান্স সুবিধা
- আল্ট্রা-হাই Q ফ্যাক্টর — 1 MHz এ Q > 2000 এবং 1 GHz এ Q > 300। ফ্লোট-জোন সাবস্ট্রেট (>1000 Ω·cm) এডি-কারেন্ট লস কমিয়ে দেয়, তাই নেটওয়ার্ক ইনসারশন লস নগণ্য এবং ম্যাচিং ইন্ডাক্টর, ক্যাপাসিটর নয়, মোট লসকে প্রভাবিত করে।
- আল্ট্রা-লো ESR — 1 GHz এ ESR সাধারণত 0.08 Ω এর নিচে, পাওয়ার-অ্যামপ্লিফায়ার বাইপাস এবং ডিসি-ব্লকিং পাথে I²R লস কমিয়ে দেয়।
- মিনিয়াচার চিপ ফর্ম ফ্যাক্টর — 0.40 মিমি বেয়ার ডাই একটি স্ট্যান্ডার্ড 0.50 মিমি চিপের প্রায় 36% ফুটপ্রিন্ট দখল করে, যা মাল্টি-চ্যানেল RF ফ্রন্ট-এন্ডে চ্যানেল ঘনত্ব বাড়ায়।
- প্রায় শূন্য অন্তর্নিহিত ইন্ডাকট্যান্স — সিঙ্গেল-লেয়ার উল্লম্ব কারেন্ট পাথ 0.03 nH এর নিচে অন্তর্নিহিত চিপ ESL প্রদান করে; সিস্টেম রেজোন্যান্স ব্যবহারকারী-নিয়ন্ত্রিত বন্ড তার দ্বারা নির্ধারিত হয়।
- স্থিতিশীল C-V — প্যারা-ইলেকট্রিক SiO, 300 nm একটি নগণ্য ডিসি-বায়াস সহগ (<10 ppm/V) এবং কোনও ফেরোইলেকট্রিক বার্ধক্য দেখায় না।বৈদ্যুতিক স্পেসিফিকেশন (T = 25°C যদি না অন্যথা উল্লেখ করা হয়)
প্যারামিটার
| মান | শর্ত | ক্যাপাসিট্যান্স |
| 100 pF ±10% (±5% উপলব্ধ) | 1 MHz, 1.0 Vrms | রেটেড ভোল্টেজ (DC) |
| 30 V | ধারাবাহিক | Q ফ্যাক্টর |
| >2000 @ 1 MHz / >300 @ 1 GHz | সাধারণ | ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্স |
| <0.08 Ω | সাধারণ | ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্স |
| ≤0.15% | 1 kHz, 1.0 Vrms | অন্তর্নিহিত চিপ ESL |
| <0.03 nH | ডি-এমবেডেড | সেল্ফ-রেজোনেন্ট ফ্রিকোয়েন্সি |
| >8 GHz চিপ-লেভেল; >1.2 GHz 0.5 মিমি বন্ড তার সহ | সাধারণ | ইনসুলেশন রেজিস্ট্যান্স |
| ≥10⁴ MΩ | রেটেড ভোল্টেজ, 25°C এ | লিকেজ কারেন্ট |
| রেটেড ভোল্টেজ এ | <10 nA @ 25°C> | ডাইইলেকট্রিক শোষণ |
| <0.1% | 1 kHz | চিপ ডাইমেনশন |
| 0.40 × 0.40 × 0.15 মিমি | ±25 µm | ডাইইলেকট্রিক |
| থার্মাল SiO | 2, 300 nmপ্যারা-ইলেকট্রিক | অপারেটিং তাপমাত্রা |
| -55°C থেকে +125°C | সম্পূর্ণ প্যারামেট্রিক | মাউন্টিং |
| ওয়্যার বন্ডেবল / ইউটেকটিক ডাই অ্যাটাচ | AuSn বা কন্ডাক্টিভ ইপোক্সি |
RF পাওয়ার-অ্যামপ্লিফায়ার ইম্পিডেন্স ম্যাচিং নেটওয়ার্ক এবং ডিসি ব্লক
- 1 GHz এর উপরে লো-লস বাইপাস এবং সাপ্লাই ডিকাপলিং
- মাল্টি-চ্যানেল RF ফ্রন্ট-এন্ড এবং মডিউল অ্যাসেম্বলি
- অসিলেটর (VCO) এবং PLL ট্যাঙ্ক সার্কিট যার জন্য একটি হাই-Q, লো-লস এলিমেন্ট প্রয়োজন
- টেস্ট এবং মেজারমেন্ট ইন্সট্রুমেন্টেশন এবং প্রোব-কার্ড অ্যাসেম্বলি
