english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
Υψηλός συντελεστής Q 100 pF 30 V MOS συμπυκνωτής (HACC101S30V300)
Σύνοψη:Ο ΧόανHACC101S30V300είναι ένας μονόστρωτος MOS πυκνωτής 100 pF ± 10% με ονομαστική ισχύ 30 V DC, που παρέχειεξαιρετικά υψηλός συντελεστής Q (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz)καιεξαιρετικά χαμηλή ESR (<0,08 Ω @ 1 GHz)σε έναπολύ μικροσκοπικά 0,40 × 0,40 × 0,15 mmΕίναι σχεδιασμένο για χαμηλής απώλειας αντιστάθμισης ραδιοσυχνοτήτων, αποκλεισμό συνεχούς ρεύματος και παράκαμψη όπου η περιοχή της πλακέτας και η απώλεια εισαγωγής είναι κρίσιμες.
Τι είναι ένας ενιαίος συνδυασμός MOS;
ΑΣυμπιεστήρας MOSΟ πυκνωτής οξείδιο του πυριτίου (Metal·Oxide·Semiconductor) είναι ένας πυκνωτής ενός στρώματος που χρησιμοποιεί θερμικά καλλιεργημένο διοξείδιο του πυριτίου (SiO)2) με μεταλλικά ηλεκτρόδια στην κορυφή και στο κάτω μέρος. Επειδή δεν υπάρχει εσωτερική στοίβα ηλεκτροδίων, το ρεύμα ρέει κατακόρυφα μέσα από ένα διαλεκτικό στρώμα,που παρέχουν σχεδόν μηδενική εγγενή ισοδύναμη σειρά επαγωγικότητας (ESL) και υψηλή αυτο-ανακουφιστική συχνότητα (SRF) σε σύγκριση με τους πολυστρωτούς κεραμικούς πυκνωτές (MLCC).
Βασικά πλεονεκτήματα απόδοσης
- Υψηλός συντελεστής QΤο υπόστρωμα ζώνης πλεύσης (> 1000 Ω·cm) ελαχιστοποιεί την απώλεια κυματιδίου ρεύματος, έτσι ώστε η απώλεια εισαγωγής δικτύου είναι αμελητέα και ο αντίστοιχος επαγωγός, όχι ο πυκνωτής,κυριαρχεί στην συνολική απώλεια.
- Υπερ-χαμηλή ESRΗ ESR είναι συνήθως κάτω από 0,08 Ω σε 1 GHz, ελαχιστοποιώντας την απώλεια I2R στις οδούς παράκαμψης ενισχυτή ισχύος και αποκλεισμού συνεχούς ρεύματος.
- Παράγοντας μορφής μικροσκοπικού τσιπΤο 0,40 mm γυμνό πίνακα καταλαμβάνει περίπου το 36% του αποτυπώματος ενός τυποποιημένου τσιπ 0,50 mm, αυξάνοντας την πυκνότητα καναλιού σε πολλαπλές καναλιές RF front-ends.
- Σχεδόν μηδενική εγγενής επαγωγικότητα∆ημιουργείται η ενιαία στρώση κατακόρυφου ρεύματος με εγγενή ESL του τσιπ κάτω από 0,03 nH· ο συντονισμός του συστήματος ρυθμίζεται από το καλώδιο σύνδεσης που ελέγχεται από τον χρήστη.
- Σταθερή C-VΠραηλεκτρικό SiO2παρουσιάζει αμελητέο συντελεστή παραμερισμού συνεχούς ρεύματος (< 10 ppm/V) και δεν παρουσιάζει σιδηροηλεκτρική γήρανση.
Ηλεκτρικές προδιαγραφές (T = 25°C, εκτός εάν αναφέρεται)
| Παράμετρος | Αξία | Υπόθεση |
| Δυνατότητα | 100 pF ±10% (±5% διαθέσιμα) | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Δοκιμαστική τάση | 30 V | Συνεχή |
| Ο παράγοντας Q | > 2000 @ 1 MHz / > 300 @ 1 GHz | Τυπικό |
| ESR @ 1 GHz | < 0,08 Ω | Τυπικό |
| Παράγοντας διάσπασης | ≤ 0,15% | 1 kHz, 1,0 Vrms |
| Εσωτερικό τσιπ ESL | < 0,03 nH | Αποενσωματωμένο |
| Αυτοανακουφιστική συχνότητα | > 8 GHz σε επίπεδο τσιπ· > 1,2 GHz με καλώδιο σύνδεσης 0,5 mm | Τυπικό |
| Αντίσταση μόνωσης | ≥ 104 MΩ | Σε ονομαστική τάση, 25°C |
| ρεύμα διαρροής | < 10 nA @ 25°C / < 100 nA @ 125°C | Σε ονομαστική τάση |
| Ηλεκτρική απορρόφή | < 0,1% | 1 kHz |
| Μέγεθος τσιπ | 00,40 × 0,40 × 0,15 mm | ± 25 μm |
| Δηλεκτρικό | Θερμικό SiO2, 300 nm | Παραηλεκτρικές |
| Θέρμανση λειτουργίας | -55°C έως +125°C | Πλήρης παραμετρική |
| Εγκατάσταση | Συμπλέκτης συρματόσχοινου / ευτεκτικής θραύσης | AuSn ή αγωγό αιποξείδιο |
Τυπικές εφαρμογές
- Δίκτυα αντιστάθμισης αντιστάθμισης ραδιοσυχνοτήτων με ενισχυτές ισχύος και μπλοκ συνεχούς ρεύματος
- Παράκαμψη χαμηλών απωλειών και αποσύνδεση τροφοδοσίας άνω των 1 GHz
- Συγκροτήματα πολλαπλών καναλιών RF front-end και μονάδων
- Διάδρομοι δεξαμενών οσκιλητήρα (VCO) και PLL που απαιτούν στοιχείο υψηλού Q με χαμηλή απώλεια
- Μηχανές δοκιμής και μέτρησης και συγκροτήματα καρτών ανίχνευσης
