Ultra-Hoge Q-Factor 100pF 30V MOS-condensatoren Lage ESR Miniatuur Enkellaags RF-chip

Ultra-Hoge Q-Factor 100 pF 30 V MOS-condensator (HACC101S30V300) — Lage ESR Miniatuur Enkellaags RF Chip

Samenvatting: De Hoan HACC101S30V300 is een 100 pF ±10% enkellaags MOS-condensator met een nominale spanning van 30 V DC, die een ultra-hoge Q-factor (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) en ultra-lage ESR (<0.08 Ω @ 1 GHz) levert in een ultra-miniature 0.40 × 0.40 × 0.15 mm draadbondbare bare-die behuizing. Het is ontworpen voor verliesarme RF impedantieaanpassing, DC-blokkering en bypass waar bordoppervlak en invoegverlies kritiek zijn.

Wat is een Enkellaags MOS-condensator?

Een MOS-condensator (Metal–Oxide–Semiconductor capacitor) is een enkellaagse condensator die gebruik maakt van een thermisch gegroeid siliciumdioxide (SiO₂) diëlektricum op een siliciumsubstraat met hoge weerstand, met metalen elektroden aan de boven- en onderkant. Omdat er geen interne elektrodestapel is, stroomt de stroom verticaal door één diëlektrische laag, wat resulteert in een bijna nul intrinsieke equivalente serielinductie (ESL) en een hoge zelfresonantiefrequentie (SRF) in vergelijking met meerlaagse keramische condensatoren (MLCC's).

Belangrijkste Prestatievoordelen

• Ultra-Hoge Q-Factor — Q > 2000 bij 1 MHz en Q > 300 bij 1 GHz. Het float-zone substraat (>1000 Ω·cm) minimaliseert wervelstroomverlies, zodat het netwerkinvoegverlies verwaarloosbaar is en de aanpassingsinductor, niet de condensator, het totale verlies domineert.
• Ultra-Lage ESR — ESR doorgaans onder 0.08 Ω bij 1 GHz, wat I²R-verlies minimaliseert in bypass- en DC-blokkeringspaden van eindversterkers.
• Miniatuur Chip Vormfactor — de 0.40 mm bare die neemt ongeveer 36% van de voetafdruk van een standaard 0.50 mm chip in beslag, waardoor de kanaaldichtheid in multi-kanaals RF front-ends toeneemt.
• Bijna Nul Intrinsieke Inductie — enkellaags verticaal stroompad levert intrinsieke chip ESL onder 0.03 nH; systeemresonantie wordt bepaald door de door de gebruiker gecontroleerde bonddraad.
• Stabiele C-V — para-elektrisch SiO₂ vertoont een verwaarloosbare DC-biascoëfficiënt (<10 ppm/V) en geen ferro-elektrische veroudering.

Elektrische Specificaties (T = 25°C tenzij anders vermeld)

Typische Toepassingen

• RF eindversterker impedantieaanpassingsnetwerken en DC-blokken
• Verliesarme bypass en voedingsontkoppeling boven 1 GHz
• Multi-kanaals RF front-end en moduleassemblages
• Oscillator (VCO) en PLL tankcircuits die een hoog-Q, verliesarm element vereisen
• Test- en meetinstrumentatie en probe-kaartassemblages