english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
ตัวเก็บประจุ MOS 100 pF 30 V ที่มีค่า Q สูงพิเศษ (HACC101S30V300) — ชิป RF แบบชั้นเดียวขนาดเล็กที่มี ESR ต่ำ
สรุป: Hoan HACC101S30V300 เป็นตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียวขนาด 100 pF ±10% ที่มีพิกัด 30 V DC ให้ ค่า Q สูงพิเศษ (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz) และ ESR ต่ำพิเศษ (<0.08 Ω @ 1 GHz) ใน แพ็คเกจแบบเปลือยขนาดเล็กพิเศษ 0.40 × 0.40 × 0.15 มม. ที่สามารถเชื่อมต่อด้วยลวด เหมาะสำหรับการจับคู่ความต้านทาน RF ที่มีการสูญเสียต่ำ การปิดกั้น DC และการบายพาสที่พื้นที่บอร์ดและการสูญเสียการแทรกมีความสำคัญ
ตัวเก็บประจุ MOS แบบชั้นเดียวคืออะไร?
ตัวเก็บประจุ MOS (ตัวเก็บประจุโลหะ-ออกไซด์-สารกึ่งตัวนำ) เป็นตัวเก็บประจุแบบชั้นเดียวที่ใช้ไดอิเล็กทริกซิลิคอนไดออกไซด์ (SiO2) ที่เติบโตด้วยความร้อนบนซับสเตรตซิลิคอนที่มีความต้านทานสูง โดยมีขั้วไฟฟ้าโลหะอยู่ด้านบนและด้านล่าง เนื่องจากไม่มีการซ้อนขั้วไฟฟ้าภายใน กระแสจะไหลในแนวตั้งผ่านชั้นไดอิเล็กทริกชั้นเดียว ทำให้มีค่าความเหนี่ยวนำอนุกรมสมมูล (ESL) ที่ใกล้เคียงศูนย์และมีความถี่เรโซแนนซ์ในตัวเอง (SRF) สูงเมื่อเทียบกับตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (MLCCs)
ข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพหลัก
- ค่า Q สูงพิเศษ — Q > 2000 ที่ 1 MHz และ Q > 300 ที่ 1 GHz ซับสเตรตแบบ float-zone (>1000 Ω·cm) ช่วยลดการสูญเสียกระแสไหลวน ดังนั้นการสูญเสียการแทรกของเครือข่ายจึงน้อยมาก และตัวเหนี่ยวนำที่จับคู่ ไม่ใช่ตัวเก็บประจุ จะเป็นตัวกำหนดการสูญเสียทั้งหมด
- ESR ต่ำพิเศษ — ESR โดยทั่วไปต่ำกว่า 0.08 Ω ที่ 1 GHz ช่วยลดการสูญเสีย I²R ในเส้นทางการบายพาสแอมพลิฟายเออร์กำลังและการปิดกั้น DC
- รูปแบบชิปขนาดเล็ก — ชิปเปลือยขนาด 0.40 มม. ใช้พื้นที่ประมาณ 36% ของชิปขนาดมาตรฐาน 0.50 มม. เพิ่มความหนาแน่นของช่องสัญญาณในส่วนหน้า RF แบบหลายช่องสัญญาณ
- ความเหนี่ยวนำภายในใกล้เคียงศูนย์ — เส้นทางการไหลของกระแสในแนวตั้งแบบชั้นเดียวให้ ESL ของชิปภายในต่ำกว่า 0.03 nH; การเรโซแนนซ์ของระบบถูกกำหนดโดยลวดเชื่อมที่ผู้ใช้ควบคุม
- C-V ที่เสถียร — SiO แบบพาราอิเล็กทริก2 แสดงค่าสัมประสิทธิ์ DC-bias ที่น้อยมาก (<10 ppm/V) และไม่มีการเสื่อมสภาพแบบเฟอร์โรอิเล็กทริก
ข้อมูลจำเพาะทางไฟฟ้า (T = 25°C เว้นแต่จะระบุไว้เป็นอย่างอื่น)
| พารามิเตอร์ | ค่า | เงื่อนไข |
| ความจุ | 100 pF ±10% (±5% มีให้เลือก) | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด (DC) | 30 V | ต่อเนื่อง |
| ค่า Q | >2000 @ 1 MHz / >300 @ 1 GHz | โดยทั่วไป |
| ESR @ 1 GHz | <0.08 Ω | โดยทั่วไป |
| ปัจจัยการสูญเสีย | ≤0.15% | 1 kHz, 1.0 Vrms |
| ESL ของชิปภายใน | <0.03 nH | De-embedded |
| ความถี่เรโซแนนซ์ในตัวเอง | >8 GHz ระดับชิป; >1.2 GHz พร้อมลวดเชื่อม 0.5 มม. | โดยทั่วไป |
| ความต้านทานฉนวน | ≥10⁴ MΩ | ที่แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด, 25°C |
| กระแสรั่วไหล | <10 nA @ 25°C> | ที่แรงดันไฟฟ้าที่กำหนด |
| การดูดซับไดอิเล็กทริก | <0.1% | 1 kHz |
| ขนาดชิป | 0.40 × 0.40 × 0.15 มม. | ±25 µm |
| ไดอิเล็กทริก | Thermal SiO2, 300 nm | พาราอิเล็กทริก |
| อุณหภูมิการทำงาน | -55°C ถึง +125°C | พารามิเตอร์เต็ม |
| การติดตั้ง | เชื่อมต่อด้วยลวด / Eutectic Die Attach | AuSn หรืออีพ็อกซี่นำไฟฟ้า |
การใช้งานทั่วไป
- เครือข่ายการจับคู่ความต้านทานและตัวปิดกั้น DC ของแอมพลิฟายเออร์กำลัง RF
- การบายพาสและการแยกแหล่งจ่ายไฟที่มีการสูญเสียต่ำกว่า 1 GHz
- ส่วนหน้า RF แบบหลายช่องสัญญาณและการประกอบโมดูล
- วงจรตั้งต้น (VCO) และวงจรแทงค์ PLL ที่ต้องการองค์ประกอบ Q สูงและการสูญเสียต่ำ
- เครื่องมือวัดและทดสอบและการประกอบการ์ดโพรบ
