english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
Ultrawysoki współczynnik Q 100 pF 30 V kondensator MOS (HACC101S30V300)
Podsumowanie:HoanHACC101S30V300jest jednowarstwowym kondensatorem MOS o pojemności 100 pF ± 10% o napięciu nominalnym 30 V prądu stałego, dostarczającymbardzo wysoki współczynnik Q (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz)a takżebardzo niski ESR (<0,08 Ω @ 1 GHz)wultra-miniaturowe 0,40 × 0,40 × 0,15 mmjest zaprojektowany do dopasowywania impedancji RF o niskiej stratze, blokowania prądu stałego i obejścia, w przypadku gdy powierzchnia płyty i utrata wstawienia są krytyczne.
Co to jest kondensator MOS jednopoziomowy?
AKondensator MOS(Metal·Oxide·Semiconductor capacitor) to jednowarstwowy kondensator, który wykorzystuje cieplnie uprawiany dwutlenek krzemu (SiO)2Ponieważ nie ma wewnętrznego stosu elektrod, prąd przepływa pionowo przez jedną warstwę dielektryczną, a następnie jest włączany do warstwy elektrycznej.o indukcyjności wewnętrznej równoważnej serii (ESL) niemal zerowej i wysokiej częstotliwości samo-rezonansowej (SRF) w porównaniu z wielowarstwowymi kondensatorami ceramicznymi (MLCC).
Kluczowe zalety wydajności
- Bardzo wysoki czynnik QW przypadku, gdy wartość Q > 2000 przy 1 MHz i Q > 300 przy 1 GHz, podłoże strefy pływającej (> 1000 Ω·cm) minimalizuje straty z powodu wiru, więc straty z powodu wprowadzania sieci są znikome, a dopasowany induktor, a nie kondensator,dominuje całkowita strata.
- Bardzo niska ESRW przypadku urządzeń o częstotliwościach mniejszych niż 0,08 Ω przy częstotliwości 1 GHz, zmniejsza się utratę I2R w obwodzie wzmacniacza mocy i blokowaniu biegów prądu stałego.
- Miniaturowy czynnik kształtu chipów 0,40 mm goła matrica zajmuje około 36% powierzchni standardowego chipu 0,50 mm, zwiększając gęstość kanału w wielokanalizowanych urządzeniach RF.
- Indukcja wewnętrzna niemal zerowaWykorzystuje się w tym celu wzorcowy układ, w którym wprowadzane są następujące parametry:
- Stabilny C-V∆ paraelektryczny SiO2wykazuje nieznaczny współczynnik stronniczości prądu stałego (< 10 ppm/V) i brak starzenia się ferroelektrycznego.
Specyfikacje elektryczne (T = 25°C, chyba że jest to zaznaczone)
| Parametry | Wartość | Warunki |
| Pojemność | 100 pF ±10% (±5% dostępne) | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Narysowane napięcie (DC) | 30 V | Ciągłe |
| Czynnik Q | > 2000 @ 1 MHz / > 300 @ 1 GHz | Typowe |
| ESR @ 1 GHz | < 0,08 Ω | Typowe |
| Wskaźnik rozpraszania | ≤ 0,15% | 1 kHz, 1,0 Vrms |
| Własny chip ESL | < 0,03 nH | Zdejmowane z układu |
| Częstotliwość samorezonansowa | > 8 GHz na poziomie chipu; > 1,2 GHz z 0,5 mm przewodem wiązającym | Typowe |
| Odporność na izolację | ≥ 104 MΩ | Przy napięciu nominalnym, 25°C |
| Prąd przecieku | < 10 nA @ 25°C / < 100 nA @ 125°C | Przy napięciu nominalnym |
| Absorpcja dielektryczna | < 0,1% | 1 kHz |
| Wymiary chipów | 00,40 × 0,40 × 0,15 mm | ± 25 μm |
| Elektryczne | SiO cieplny2, 300 nm | Paraelektryczne |
| Temperatura pracy | -55°C do +125°C | Pełna parametryka |
| Wstawianie | Włókno wiążące / Eutectic Die Attach | AuSn lub przewodzący epoksyd |
Typowe zastosowania
- Sieci dopasowujące impedancje wzmacniaczy mocy RF i bloki prądu stałego
- Poziom obwodów o niskiej stratzie i odłączanie zasilania powyżej 1 GHz
- Wielokanałowe zespoły przednich i modułowych układów RF
- Obwody oscylatorowe (VCO) i zbiorniki PLL wymagające elementu o wysokim Q i niskiej stratze
- Urządzenia do badań i pomiarów oraz zestawy kart sond
