english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
Ultra-Yüksek Q Faktörü 100 pF 30 V MOS Kapasitör (HACC101S30V300) — Düşük ESR'li Mini Tek Katmanlı RF Çip
Özet: Hoan HACC101S30V300 , 30 V DC ile derecelendirilmiş, %10 ±100 pF'lik tek katmanlı bir MOS kapasitördür ve ultra-yüksek bir Q faktörü (1 MHz'de Q>2000, 1 GHz'de Q>300) ve ultra-düşük ESR (1 GHz'de <0,08 Ω) sunar. ultra-mini 0,40 × 0,40 × 0,15 mm tel bağlanabilir çıplak kalıp paketindedir. Kart alanı ve ekleme kaybının kritik olduğu düşük kayıplı RF empedans eşleştirmesi, DC engelleme ve baypas için tasarlanmıştır.Tek Katmanlı MOS Kapasitör Nedir?
Bir
MOS kapasitör (Metal-Oksit-Yarı İletken kapasitör), yüksek dirençli bir silikon alt tabaka üzerinde termal olarak büyütülmüş bir silikon dioksit (SiO2ParaelektrikAnahtar Performans Avantajları
Ultra-Yüksek Q Faktörü
- — 1 MHz'de Q > 2000 ve 1 GHz'de Q > 300. Yüzey akış alt tabakası (>1000 Ω·cm) girdap akımı kaybını en aza indirir, böylece ağ ekleme kaybı ihmal edilebilir düzeydedir ve toplam kayba eşleştirme indüktörü, kapasitörden daha fazla etki eder.Ultra-Düşük ESR
- — 1 GHz'de tipik olarak 0,08 Ω'nin altında ESR, güç amplifikatörü baypas ve DC engelleme yollarında I²R kaybını en aza indirir.Mini Çip Form Faktörü
- — 0,40 mm'lik çıplak kalıp, standart 0,50 mm'lik bir çipin ayak izinin yaklaşık %36'sını kaplar, bu da çok kanallı RF ön uçlarında kanal yoğunluğunu artırır.Neredeyse Sıfır İç Endüktans
- — tek katmanlı dikey akım yolu, 0,03 nH'nin altında iç çip ESL'si sağlar; sistem rezonansı, kullanıcı tarafından kontrol edilen bağ teli ile belirlenir.Kararlı C-V
- — paraelektrik SiO2ParaelektrikElektriksel Özellikler (T = 25°C, aksi belirtilmedikçe)Parametre
Değer
| Koşul | Kapasitans | 100 pF ±%10 (±%5 mevcut) |
| 1 MHz, 1,0 Vrms | Anma Gerilimi (DC) | 30 V |
| Sürekli | Q Faktörü | 1 MHz'de >2000 / 1 GHz'de >300 |
| Tipik | 1 GHz'de ESR | ≥10⁴ MΩ |
| Tipik | Dağılım Faktörü | ≥10⁴ MΩ |
| 1 kHz, 1,0 Vrms | İç Çip ESL'si | <0,03 nH |
| Giderilmiş | Kendi Rezonans Frekansı | Çip seviyesinde >8 GHz; 0,5 mm bağ teli ile >1,2 GHz |
| Tipik | İzolasyon Direnci | ≥10⁴ MΩ |
| Anma geriliminde, 25°C'de | Kaçak Akım | Anma geriliminde |
| <10 nA @ 25°C> | Dielektrik Emilimi | <%0,1|
| 1 kHz | Çip Boyutları | 0,40 × 0,40 × 0,15 mm |
| ±25 µm | Dielektrik | Termal SiO |
| 2 | , 300 nmParaelektrikÇalışma Sıcaklığı | -55°C ila +125°C |
| Tam parametrik | Montaj | Tel Bağlanabilir / Ötektik Kalıp Yapıştırma |
| AuSn veya iletken epoksi | Tipik Uygulamalar |
1 GHz üzeri düşük kayıplı baypas ve besleme ayırma
- Çok kanallı RF ön uç ve modül montajları
- Yüksek Q'lu, düşük kayıplı bir eleman gerektiren osilatör (VCO) ve PLL tank devreleri
- Test ve ölçüm cihazları ve prob kartı montajları
