english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
مكثف MOS بعامل جودة فائق الارتفاع 100 بيكوفاراد 30 فولت (HACC101S30V300) — شريحة RF أحادية الطبقة مصغرة ذات مقاومة تسلسلية مكافئة منخفضة جدًا
ملخص: الـ Hoan HACC101S30V300 هو مكثف MOS أحادي الطبقة بسعة 100 بيكوفاراد ±10% ومعدل جهد 30 فولت تيار مستمر، يوفر عامل جودة فائق الارتفاع (Q>2000 @ 1 ميجاهرتز، Q>300 @ 1 جيجاهرتز) و مقاومة تسلسلية مكافئة منخفضة جدًا (<0.08 Ω @ 1 جيجاهرتز) في عبوة شريحة عارية مصغرة للغاية بأبعاد 0.40 × 0.40 × 0.15 مم قابلة للربط السلكي. تم تصميمه لمطابقة معاوقة الترددات الراديوية منخفضة الفقد، وحجب التيار المستمر، والتجاوز حيث تكون مساحة اللوحة وفقد الإدخال أمرًا بالغ الأهمية.
ما هو مكثف MOS أحادي الطبقة؟
مكثف MOS capacitor (مكثف معدن-أكسيد-شبه موصل) هو مكثف أحادي الطبقة يستخدم عازل ثاني أكسيد السيليكون (SiO2) مُنمّى حرارياً على ركيزة سيليكون عالية المقاومة، مع أقطاب معدنية في الأعلى والأسفل. نظرًا لعدم وجود مكدس أقطاب داخلي، يتدفق التيار عموديًا عبر طبقة عازلة واحدة، مما يوفر محاثة تسلسلية مكافئة جوهرية قريبة من الصفر (ESL) وتردد رنين ذاتي مرتفع (SRF) مقارنة بالمكثفات الخزفية متعددة الطبقات (MLCCs).
مزايا الأداء الرئيسية
- عامل جودة فائق الارتفاع — Q > 2000 عند 1 ميجاهرتز و Q > 300 عند 1 جيجاهرتز. تقلل ركيزة المنطقة العائمة (>1000 Ω·cm) من فقد التيار الدوامي، لذا فإن فقد إدخال الشبكة لا يُذكر وتهيمن محاثة المطابقة، وليس المكثف، على الفقد الكلي.
- مقاومة تسلسلية مكافئة منخفضة جدًا — عادةً ما تكون ESR أقل من 0.08 Ω عند 1 جيجاهرتز، مما يقلل من فقد I²R في مسارات تجاوز مضخم الطاقة وحجب التيار المستمر.
- شكل شريحة مصغر — تشغل الشريحة العارية البالغة 0.40 مم حوالي 36% من مساحة شريحة قياسية بحجم 0.50 مم، مما يزيد من كثافة القناة في الواجهات الأمامية للترددات الراديوية متعددة القنوات.
- محاثة جوهرية قريبة من الصفر — مسار التيار العمودي أحادي الطبقة ينتج عنه ESL شريحة جوهرية أقل من 0.03 نانوهنري؛ يتم تحديد رنين النظام بواسطة سلك الربط الذي يتحكم فيه المستخدم.
- سعة مستقرة مع الجهد (C-V) — يُظهر SiO البارالكتريك2 معامل انحياز تيار مستمر لا يُذكر (<10 جزء في المليون/فولت) ولا يوجد تقادم كهربائي حديدي.
المواصفات الكهربائية (T = 25°C ما لم يُذكر خلاف ذلك)
| المعلمة | القيمة | الشرط |
| السعة | 100 بيكوفاراد ±10% (±5% متاح) | 1 ميجاهرتز، 1.0 فولت ذروة فعالة |
| الجهد المقنن (تيار مستمر) | 30 فولت | مستمر |
| عامل الجودة | >2000 @ 1 ميجاهرتز / >300 @ 1 جيجاهرتز | نموذجي |
| ESR @ 1 جيجاهرتز | <0.08 Ω | نموذجي |
| عامل التبديد | ≤0.15% | 1 كيلوهرتز، 1.0 فولت ذروة فعالة |
| ESL شريحة جوهرية | <0.03 نانوهنري | مُفكك |
| تردد الرنين الذاتي | >8 جيجاهرتز على مستوى الشريحة؛ >1.2 جيجاهرتز مع سلك ربط 0.5 مم | نموذجي |
| مقاومة العزل | ≥10⁴ ميجا أوم | عند الجهد المقنن، 25°C |
| تيار التسرب | <10 nA @ 25°C> | عند الجهد المقنن |
| امتصاص العازل | <0.1% | 1 كيلوهرتز |
| أبعاد الشريحة | 0.40 × 0.40 × 0.15 مم | ±25 ميكرومتر |
| العازل | حراري SiO2, 300 نانومتر | بارالكتريك |
| درجة حرارة التشغيل | -55°C إلى +125°C | كامل المعلمات |
| التركيب | قابل للربط السلكي / تثبيت الشريحة باليوتكتيك | AuSn أو إيبوكسي موصل |
التطبيقات النموذجية
- شبكات مطابقة معاوقة مضخمات الطاقة للترددات الراديوية وحجب التيار المستمر
- تجاوز وفصل إمدادات الطاقة منخفض الفقد فوق 1 جيجاهرتز
- تجميعات الواجهات الأمامية والوحدات النمطية للترددات الراديوية متعددة القنوات
- دوائر خزان المذبذب (VCO) و PLL التي تتطلب عنصرًا عالي الجودة ومنخفض الفقد
- أجهزة القياس والاختبار وتجميعات بطاقات المجسات
