english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
Ультравысокий коэффициент добротности 100 пФ 30 В МОП-конденсатор (HACC101S30V300) — миниатюрный однослойный ВЧ-чип с низким ESR
Резюме: Hoan HACC101S30V300 представляет собой однослойный МОП-конденсатор емкостью 100 пФ ±10% с номинальным напряжением 30 В постоянного тока, обеспечивающий ультравысокий коэффициент добротности (Q>2000 @ 1 МГц, Q>300 @ 1 ГГц) и ультранизкий ESR (<0,08 Ω @ 1 ГГц) в ультраминиатюрном корпусе 0,40 × 0,40 × 0,15 мм с возможностью монтажа методом проволочной сварки в виде оголенного кристалла. Он разработан для ВЧ-согласования импеданса с низкими потерями, блокировки постоянного тока и шунтирования, где площадь платы и вносимые потери имеют решающее значение.
Что такое однослойный МОП-конденсатор?
МОП-конденсатор (металл-оксид-полупроводник) представляет собой однослойный конденсатор, в котором используется термически выращенный диэлектрик из диоксида кремния (SiO2) на подложке из кремния с высоким удельным сопротивлением, с металлическими электродами сверху и снизу. Поскольку отсутствует внутренний стек электродов, ток течет вертикально через один диэлектрический слой, что обеспечивает практически нулевую собственную эквивалентную последовательную индуктивность (ESL) и высокую собственную резонансную частоту (SRF) по сравнению с многослойными керамическими конденсаторами (MLCC).
Ключевые преимущества в производительности
- Ультравысокий коэффициент добротности — Q > 2000 при 1 МГц и Q > 300 при 1 ГГц. Подложка, выращенная методом зонной плавки (>1000 Ω·см), минимизирует потери на вихревые токи, поэтому вносимые потери в цепи незначительны, а общий потери определяются согласующим индуктором, а не конденсатором.
- Ультранизкий ESR — ESR обычно ниже 0,08 Ω при 1 ГГц, что минимизирует потери I²R в цепях шунтирования усилителя мощности и блокировки постоянного тока.
- Миниатюрный форм-фактор чипа — оголенный кристалл размером 0,40 мм занимает примерно 36% площади стандартного чипа размером 0,50 мм, увеличивая плотность каналов в многоканальных ВЧ-трактах.
- Практически нулевая собственная индуктивность — однослойный вертикальный путь тока обеспечивает собственную ESL чипа менее 0,03 нГн; резонанс системы определяется управляемым пользователем монтажным проводом.
- Стабильная зависимость емкости от напряжения — параэлектрический SiO2 демонстрирует незначительный коэффициент постоянного смещения (<10 ppm/V) и отсутствие ферроэлектрического старения.
Электрические характеристики (T = 25°C, если не указано иное)
| Параметр | Значение | Условие |
| Емкость | 100 пФ ±10% (±5% доступны) | 1 МГц, 1,0 В среднеквадр. |
| Номинальное напряжение (постоянное) | 30 В | Непрерывное |
| Коэффициент добротности | >2000 @ 1 МГц / >300 @ 1 ГГц | Типичное |
| ESR @ 1 ГГц | <0,08 Ω | Типичное |
| Коэффициент потерь | ≤0,15% | 1 кГц, 1,0 В среднеквадр. |
| Собственная ESL чипа | <0,03 нГн | Де-эмбеддированная |
| Собственная резонансная частота | >8 ГГц на уровне чипа; >1,2 ГГц с монтажным проводом 0,5 мм | Типичное |
| Сопротивление изоляции | ≥10⁴ МОм | При номинальном напряжении, 25°C |
| Ток утечки | <10 nA @ 25°C> | При номинальном напряжении |
| Диэлектрическая абсорбция | <0,1% | 1 кГц |
| Размеры чипа | 0,40 × 0,40 × 0,15 мм | ±25 µм |
| Диэлектрик | Термический SiO2, 300 нм | Параэлектрический |
| Рабочая температура | -55°C до +125°C | Полная параметрическая |
| Монтаж | Возможность монтажа проволочной сваркой / Эвтектическое крепление кристалла | AuSn или проводящий эпоксидный клей |
Типичные области применения
- Цепи согласования импеданса и блокировки постоянного тока ВЧ-усилителей мощности
- Малопотерьное шунтирование и развязка питания выше 1 ГГц
- Многоканальные ВЧ-тракты и модульные сборки
- Танк-контуры генераторов (VCO) и ФАПЧ, требующие элемента с высоким Q и низкими потерями
- Измерительные приборы и сборки пробных карт
