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Capacitador MOS de ultra alto factor Q 100 pF 30 V (HACC101S30V300)
Resumen:El HoanHACC101S30V300es un condensador MOS de una sola capa de 100 pF ± 10% con una potencia nominal de 30 V de CC, que proporciona unFactor Q muy alto (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz)yESR muy baja (< 0,08 Ω @ 1 GHz)En unacon una anchura de más de 1 mm,Se ha diseñado para el emparejamiento de impedancia de RF con baja pérdida, bloqueo y bypass de CC donde la pérdida de área de la placa y la pérdida de inserción son críticas.
¿Qué es un condensador MOS de una sola capa?
A. NoCondensador MOS(Condensador de semiconductores de óxido metálico) es un condensador de una sola capa que utiliza un dióxido de silicio (SiO) cultivado térmicamente2El sistema de conducción de los electrodos se basa en un conductor dieléctrico sobre un sustrato de silicio de alta resistividad, con electrodos metálicos en la parte superior e inferior.que dan una inductancia de serie intrínseca equivalente cercana a cero (ESL) y una alta frecuencia autorresonante (SRF) en comparación con los condensadores cerámicos multicapa (MLCC).
Ventajas clave de rendimiento
- Factor Q muy altoEl substrato de zona flotante (> 1000 Ω·cm) minimiza la pérdida de corriente de remolino, por lo que la pérdida de inserción de red es insignificante y el inductor correspondiente, no el condensador,domina la pérdida total.
- ESR muy bajo ESR por lo general inferior a 0,08 Ω a 1 GHz, minimizando la pérdida de I2R en las vías de derivación del amplificador de potencia y de bloqueo de CC.
- Factor de forma del chip en miniatura¢ el troquel desnudo de 0,40 mm ocupa aproximadamente el 36% de la huella de un chip estándar de 0,50 mm, aumentando la densidad de canal en los terminales frontales de RF multicanal.
- Inductancia intrínseca cercana a cero∆ La trayectoria de corriente vertical de una sola capa produce una ESL intrínseca del chip inferior a 0,03 nH; la resonancia del sistema se establece por el cable de unión controlado por el usuario.
- C-V estableSiO paraeléctrico2muestra un coeficiente de sesgo de CC insignificante (< 10 ppm/V) y no presenta envejecimiento ferroeléctrico.
Especificaciones eléctricas (T = 25°C a menos que se indique)
| Parámetro | Valor | Condición |
| Capacidad | La temperatura máxima máxima de la superficie de la cubierta de ensayo será de ± 10 °C. | 1 MHz, 1,0 Vrs |
| Válvulas de carga de la corriente de corriente | 30 V | Continuidad |
| Factor Q | Se aplicarán las reglas siguientes: | Típico |
| ESR @ 1 GHz | < 0,08 Ω | Típico |
| Factor de disipación | ≤ 0,15% | 1 kHz, 1,0 Vrs |
| Chip intrínseco ESL | < 0,03 nH | Desincorporado |
| Frecuencia de auto-resonancia | > 8 GHz de nivel de chip; > 1,2 GHz con alambre de unión de 0,5 mm | Típico |
| Resistencia al aislamiento | ≥ 104 MΩ | A tensión nominal, 25 °C |
| Corriente de fuga | Se aplicarán las siguientes medidas: | En tensión nominal |
| Absorción dieléctrica | < 0,1% | 1 kHz |
| Dimensiones del chip | 0.40 × 0,40 × 0,15 mm | ± 25 μm |
| Dieléctrico | SiO térmico2, 300 nm | Paraeléctricos |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C a +125°C | Parámetros completos |
| El montaje | Acoplamiento de alambre / adhesivo eutectico | AuSn o epoxi conductor |
Aplicaciones típicas
- Redes de emparejamiento de impedancia de RF-amplificador de potencia y bloques de CC
- Desacoplamiento de baja pérdida y desacoplamiento de alimentación por encima de 1 GHz
- Conjuntos de módulos y de terminales de RF multicanal
- Circuitos de tanques de oscilador (VCO) y PLL que requieren un elemento de alta Q y baja pérdida
- Instrumentos de ensayo y medición y conjuntos de tarjetas de sonda
