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Condensateur MOS à facteur Q ultra-haut 100 pF 30 V (HACC101S30V300)
Résumé:Le HoanLe système d'échantillonnage doit être conforme à l'annexe I.est un condensateur MOS monocouche à 100 pF ± 10% à 30 V de courant continu, délivrant unFacteur Q ultra élevé (Q>2000 @ 1 MHz, Q>300 @ 1 GHz)etESR extrêmement bas (< 0,08 Ω @ 1 GHz)Dans unune largeur d'environ 0,4 mmIl est conçu pour une correspondance d'impédance RF à faible perte, un blocage et un contournement en courant continu lorsque la surface de la carte et la perte d'insertion sont critiques.
Qu'est-ce qu'un condensateur MOS à une seule couche?
UneCondensateur MOSLe condensateur à semi-conducteurs est un condensateur à couche unique qui utilise un dioxyde de silicium (SiO) cultivé thermiquement.2En effet, il n'y a pas de pile d'électrodes interne, le courant circule verticalement à travers une couche diélectrique,donnant une inductance en série équivalente intrinsèque proche de zéro (ESL) et une fréquence d'auto-résonance élevée (SRF) par rapport aux condensateurs céramiques multicouches (MLCC).
Principaux avantages de performance
- Facteur Q ultra élevéLe substrat de zone flottante (> 1000 Ω·cm) minimise les pertes de courant tourbillonnant, de sorte que les pertes d'insertion du réseau sont négligeables et l'inducteur correspondant, et non le condensateur,domine la perte totale.
- RSE ultra-faibleL'ESR est généralement inférieure à 0,08 Ω à 1 GHz, ce qui minimise les pertes I2R dans les voies de contournement de l'amplificateur de puissance et de blocage du courant continu.
- Facteur de forme de la puce miniature¥ la matrice nue de 0,40 mm occupe environ 36% de l'empreinte d'une puce standard de 0,50 mm, ce qui augmente la densité des canaux dans les fronts RF multicanaux.
- Inductance intrinsèque proche de zéro la trajectoire de courant vertical à couche unique produit une ESL intrinsèque de la puce inférieure à 0,03 nH; la résonance du système est réglée par le fil de liaison contrôlé par l'utilisateur.
- V-C stableSiO paraélectrique2présente un coefficient de biais de courant continu négligeable (< 10 ppm/V) et aucun vieillissement ferroélectrique.
Spécifications électriques (T = 25°C, sauf indication contraire)
| Paramètre | Valeur | Condition |
| Capacité | 100 pF ±10% (±5% sont disponibles) | 1 MHz, 1,0 RPM |
| Voltage nominal (en courant continu) | 30 V | Continuité |
| Facteur Q | > 2000 @ 1 MHz / > 300 @ 1 GHz | Typique |
| ESR @ 1 GHz | < 0,08 Ω | Typique |
| Facteur de dissipation | ≤ 0,15% | 1 kHz, 1,0 RPM |
| La puce ESL intrinsèque | < 0,03 nH | Non intégré |
| Fréquence auto-résonante | > 8 GHz au niveau de la puce; > 1,2 GHz avec fil de liaison de 0,5 mm | Typique |
| Résistance à l'isolation | ≥ 104 MΩ | À tension nominale, 25°C |
| Courant de fuite | Les émissions de CO2 sont calculées en fonction de la température de l'air. | À tension nominale |
| Absorption diélectrique | < 0,1% | 1 kHz |
| Dimensions de la puce | 0.40 × 0,40 × 0,15 mm | ± 25 μm |
| Diélectrique | SiO thermique2, 300 nm | Parallèlement électrique |
| Température de fonctionnement | -55°C à +125°C | Paramétrique complète |
| Montage | L'équipement de fixation à l'aide d'un fil de fer / d'une matrice euthétique | AuSn ou époxy conducteur |
Applications typiques
- Réseaux de correspondance d'impédance RF-amplificateur de puissance et blocs CC
- Découplement de l'alimentation et de la dérive à faible perte supérieurs à 1 GHz
- Ensembles de front-end et de modules RF multicanaux
- Circuits d'oscillateur (VCO) et de réservoir PLL nécessitant un élément à Q élevé et à faible perte
- Instruments d'essai et de mesure et ensembles de cartes-sonde
