| Marchio: | Hoan |
| Numero di modello: | HACC101S30V220 |
| MOQ: | 10 pezzi |
| Termini di pagamento: | L/C,D/A,D/P,T/T |
Riepilogo: L'HACC101S30V220 è un condensatore MOS (metal-oxide-semiconductor) a singolo strato da 22 pF ±10%, 30 V DC, costruito su un substrato di silicio float-zone con un dielettrico termico SiO2 da 300 nm. È progettato per l'adattamento di ingresso di amplificatori a basso rumore (LNA) e per il blocco DC, dove il rumore del componente e il comportamento dell'interfaccia determinano la figura di rumore del ricevitore.
L'HACC101S30V220 utilizza una struttura MOS a singolo strato invece di uno stack ceramico multistrato. Il chip misura 0,50 × 0,50 × 0,15 mm con metallizzazione superiore in oro minima di 2,5 µm e oro posteriore minima di 1,0 µm. È saldabile a filo e compatibile con l'attacco eutettico del die, ed è offerto con tolleranze di capacità standard ±10% (K) e ±5% (J).
| Parametro | Valore | Condizione di test |
|---|---|---|
| Capacità | 22 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Opzioni di tolleranza della capacità | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| Tensione DC nominale | 30 V | Funzionamento continuo |
| Rigidità dielettrica | Superiore a 100 V DC | 1 minuto, 25°C |
| ESL del chip intrinseco | Inferiore a 0,05 nH | De-embedded dai parametri S |
| Fattore Q | >2000 a 1 MHz, >300 a 1 GHz | Tipico |
| ESR a 1 GHz | Inferiore a 0,1 Ω | Tipico |
| Corrente di dispersione | Inferiore a 10 nA | 30 V DC, 25°C |
| Uscita piezoelettrica | Inferiore al livello di rumore | 10 g, sweep 20 Hz-2 kHz |
| Dielettrico | SiO termico2, 300 nm | Ossidazione a secco |
| Substrato | Si float-zone, superiore a 1000 Ω·cm | Alta resistività |
| Dimensioni del chip | 0,50 × 0,50 × 0,15 mm | ±0,025 mm |
| Metallo superiore / posteriore | Au 2,5 µm / Au 1,0 µm | Strato di adesione TiW |
| Temperatura operativa | -55°C a +125°C | — |
![]()