dettagli dei prodotti

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Condensatori MOS
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HACC101S30V220 Condensatori MOS ad ultra basso rumore 22pF 30V per il controllo del rumore dei vettori caldi per LNA

HACC101S30V220 Condensatori MOS ad ultra basso rumore 22pF 30V per il controllo del rumore dei vettori caldi per LNA

Marchio: Hoan
Numero di modello: HACC101S30V220
MOQ: 10 pezzi
Termini di pagamento: L/C,D/A,D/P,T/T
Informazioni dettagliate
Luogo di origine:
Shaanxi, Cina
Certificazione:
ISO 9001:2015, RoHS
Metallizzazione superiore:
Au, 2,5 um min
Metallizzazione del retro:
Au, 1,0 um min
Temperatura operativa:
Da -55°C a +125°C
RoHS:
Conforme UE 2015/863
Classe ESD:
Classe 0 (HBM)
Tipo di montaggio:
Fissaggio a filo/matrice eutettica
Evidenziare:

Condensatore MOS a Rumore Ultra Basso

,

Condensatore MOS HACC101S30V220 22pF

,

Condensatore MOS 30V per LNA

Descrizione di prodotto

Condensatore MOS a rumore ultra basso HACC101S30V220 22pF 30V


Riepilogo: L'HACC101S30V220 è un condensatore MOS (metal-oxide-semiconductor) a singolo strato da 22 pF ±10%, 30 V DC, costruito su un substrato di silicio float-zone con un dielettrico termico SiO2 da 300 nm. È progettato per l'adattamento di ingresso di amplificatori a basso rumore (LNA) e per il blocco DC, dove il rumore del componente e il comportamento dell'interfaccia determinano la figura di rumore del ricevitore.


Panoramica

L'HACC101S30V220 utilizza una struttura MOS a singolo strato invece di uno stack ceramico multistrato. Il chip misura 0,50 × 0,50 × 0,15 mm con metallizzazione superiore in oro minima di 2,5 µm e oro posteriore minima di 1,0 µm. È saldabile a filo e compatibile con l'attacco eutettico del die, ed è offerto con tolleranze di capacità standard ±10% (K) e ±5% (J).


Caratteristiche principali

  • Controllo del rumore termico da portatori caldi: ESL del chip intrinseco inferiore a 0,05 nH con bassa densità di trappole di interfaccia.
  • Soppressione del rumore da portatori caldi: nessuna uscita piezoelettrica o microfonica.
  • 22 pF ±10% (5% disponibile) a 30 V DC senza riduzione della capacità di polarizzazione DC.
  • Q > 2000 a 1 MHz e > 300 a 1 GHz; ESR inferiore a 0,1 Ω a 1 GHz.
  • Substrato di silicio float-zone superiore a 1000 Ω·cm per basse perdite del substrato.
  • Elettrodo superiore TiW-Au e posteriore TiW-Pt-Au per attacco a filo e eutettico del die.
  • Disponibile in valori di capacità personalizzati sulla stessa piattaforma da 0,50 mm.


Specifiche elettriche (T = 25°C se non diversamente specificato)

Parametro Valore Condizione di test
Capacità 22 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Opzioni di tolleranza della capacità ±10% (K), ±5% (J) —
Tensione DC nominale 30 V Funzionamento continuo
Rigidità dielettrica Superiore a 100 V DC 1 minuto, 25°C
ESL del chip intrinseco Inferiore a 0,05 nH De-embedded dai parametri S
Fattore Q >2000 a 1 MHz, >300 a 1 GHz Tipico
ESR a 1 GHz Inferiore a 0,1 Ω Tipico
Corrente di dispersione Inferiore a 10 nA 30 V DC, 25°C
Uscita piezoelettrica Inferiore al livello di rumore 10 g, sweep 20 Hz-2 kHz
Dielettrico SiO termico2, 300 nm Ossidazione a secco
Substrato Si float-zone, superiore a 1000 Ω·cm Alta resistività
Dimensioni del chip 0,50 × 0,50 × 0,15 mm ±0,025 mm
Metallo superiore / posteriore Au 2,5 µm / Au 1,0 µm Strato di adesione TiW
Temperatura operativa -55°C a +125°C —


Applicazioni tipiche

  • Adattamento di ingresso e blocco DC di amplificatori a basso rumore (LNA)
  • Circuiti di risonanza di oscillatori VCO e PLL a basso rumore di fase
  • Front-end di ricevitori RF e moduli beamformer a matrice
  • Iniezione di polarizzazione a basso rumore e disaccoppiamento dell'alimentazione
  • Strumentazione di test e misurazione sensibile al rumore


HACC101S30V220 Condensatori MOS ad ultra basso rumore 22pF 30V per il controllo del rumore dei vettori caldi per LNA