HACC101S30V220 Ultra Low Noise MOS Condensatoren 22pF 30V Hot Carrier Noise Control voor LNA

Ultra Lage Ruis MOS Condensator HACC101S30V220 22pF 30V

Samenvatting: De HACC101S30V220 is een 22 pF ±10%, 30 V DC enkellaagse MOS (metaal-oxide-halfgeleider) condensator gebouwd op een float-zone silicium substraat met een 300 nm thermische SiO₂ diëlektricum. Het is ontworpen voor ultra-lage ruis versterker (LNA) ingangsafstemming en DC-blokkering, waar componentruis en interfacegedrag de ruisfactor van de ontvanger bepalen.

Overzicht

De HACC101S30V220 maakt gebruik van een enkellaagse MOS-structuur in plaats van een meerlaagse keramische stapel. De chip meet 0,50 × 0,50 × 0,15 mm met een minimale gouden topmetallisatie van 2,5 µm en een minimale achterkant gouden laag van 1,0 µm. Het is draadlasbaar en compatibel met eutectische die attach, en wordt aangeboden in standaard ±10% (K) en ±5% (J) capaciteitstoleranties.

Belangrijkste Kenmerken

• Hot-carrier thermische ruiscontrole: intrinsieke chip ESL onder 0,05 nH met lage interface-trapdichtheid.
• Hot-carrier ruisonderdrukking: geen piëzo-elektrische of microfonische output.
• 22 pF ±10% (5% beschikbaar) bij 30 V DC zonder DC-bias capaciteitsvermindering.
• Q > 2000 bij 1 MHz en > 300 bij 1 GHz; ESR onder 0,1 Ω bij 1 GHz.
• Float-zone silicium substraat boven 1000 Ω·cm voor laag substraatverlies.
• TiW-Au topelelektrode en TiW-Pt-Au achterkant voor draadlasbaarheid en eutectische die attach.
• Verkrijgbaar in aangepaste capaciteitswaarden op hetzelfde 0,50 mm platform.

Elektrische Specificaties (T = 25°C tenzij anders vermeld)

Typische Toepassingen

• Ultra-lage ruis versterker (LNA) ingangsafstemming en DC-blokkering
• Laag fase-ruis VCO en PLL oscillator tankcircuits
• RF ontvanger front-ends en array beamformer modules
• Laag-ruis bias injectie en voeding ontkoppeling
• Ruisgevoelige test- en meetinstrumentatie