HACC101S30V220 ตัวเก็บประจุ MOS สัญญาณรบกวนต่ำพิเศษ 22pF 30V การควบคุมสัญญาณรบกวนแบบ Hot Carrier สำหรับ LNA

เครื่องปรับความรุนแรง MOS ความรุนแรงต่ําสุด HACC101S30V220 22pF 30V

สรุป:HACC101S30V220 เป็นตัวประกอบ MOS (โลหะ-ออกไซด์-ครึ่งประจุ) แบบชั้นเดียวขนาด 22 pF ± 10%, 30 V DC สร้างขึ้นบนสับสราตซิลิคอนโซนพลอยที่มีความร้อน SiO 300 nm₂dielectric. มันถูกออกแบบมาเพื่อการจับคู่การเข้าของเครื่องกระตุ้นเสียงเสียงต่ําสุด (LNA) และการปิด DC โดยที่เสียงส่วนประกอบและพฤติกรรมของอินเตอร์เฟซกําหนดค่าเสียงของตัวรับ

ภาพรวม

ชิป HACC101S30V220 ใช้โครงสร้าง MOS ชั้นเดียว แทนที่จะใช้สตัคเซรามิกหลายชั้น ชิปมีขนาด 0.50 × 0.50 × 0.15 มม.0 μm ทองด้านหลังขั้นต่ํามันสามารถเชื่อมต่อสายและเข้ากันได้กับยูเทคติก die แอตช็อป และถูกนําเสนอในมาตรฐาน ± 10% (K) และ ± 5% (J) ความละเอียดความสามารถ

ลักษณะสําคัญ

• การควบคุมเสียงกระแทกทางความร้อน: ESL ชิปภายในที่ต่ํากว่า 0.05 nH กับความหนาแน่นของกรงอัตราต่อรองที่ต่ํา
• การลดความรุนแรงของเครื่องบรรทุกร้อน: ไม่มีผลิตไฟฟ้าหรือไมโครโฟนิค
• 22 pF ± 10% (5% มีให้) ที่ 30 V DC โดยไม่มี DC bias capacitance derating
• Q > 2000 ที่ 1 MHz และ > 300 ที่ 1 GHz; ESR ต่ํากว่า 0.1 Ω ที่ 1 GHz
• สารสับสราตซิลิคอนในโซนลอย มากกว่า 1000 Ω·cm สําหรับการสูญเสียสับสราตที่ต่ํา
• อิเล็กทรอัดด้านบน TiW-Au และด้านหลัง TiW-Pt-Au สําหรับสายเชื่อมและยูเทคติก die attach
• มีให้เลือกในค่าความจุที่กําหนดเองบนแพลตฟอร์ม 0.50 มมเดียวกัน

รายละเอียดไฟฟ้า (T = 25°C เว้นแต่ระบุไว้)

การใช้งานทั่วไป

• เครื่องเสริมเสียงเสียงต่ําสุด (LNA) การจับคู่การเข้าและการปิด DC
• วงจรถังออสซิลเลเตอร์ระยะต่ําเสียงเสียง VCO และ PLL
• หน่วยรับ RF ด้านหน้าและโมดูลการสร้างรังสี array
• การฉีดฉีดเฉียบเฉียบเสียงต่ําและการแยกไฟฟ้า
• อุปกรณ์ทดสอบและวัดที่มีความรู้สึกต่อเสียง