HACC101S30V220 Kapasitor MOS Ultra Low Noise 22pF 30V Kontrol Kebisingan Hot Carrier untuk LNA

Kapasitor MOS Kebisingan Sangat Rendah HACC101S30V220 22pF 30V

Ringkasan: HACC101S30V220 adalah kapasitor MOS (metal-oksida-semikonduktor) lapisan tunggal 22 pF ±10%, 30 V DC yang dibangun di atas substrat silikon float-zone dengan dielektrik SiO termal 300 nm₂. Kapasitor ini dirancang untuk pencocokan input penguat kebisingan sangat rendah (LNA) dan pemblokiran DC, di mana kebisingan komponen dan perilaku antarmuka menentukan angka kebisingan penerima.

Tinjauan

HACC101S30V220 menggunakan struktur MOS lapisan tunggal alih-alih tumpukan keramik berlapis-lapis. Chip berukuran 0,50 × 0,50 × 0,15 mm dengan metalisasi atas emas minimum 2,5 µm dan emas belakang minimum 1,0 µm. Kapasitor ini dapat diikat kawat dan kompatibel dengan pemasangan die eutektik, serta ditawarkan dalam toleransi kapasitansi standar ±10% (K) dan ±5% (J).

Fitur Utama

• Kontrol kebisingan termal hot-carrier: ESL chip intrinsik di bawah 0,05 nH dengan kerapatan perangkap antarmuka yang rendah.
• Penekanan kebisingan hot-carrier: tidak ada keluaran piezoelektrik atau mikrofonik.
• 22 pF ±10% (tersedia 5%) pada 30 V DC tanpa penurunan peringkat kapasitansi bias DC.
• Q > 2000 pada 1 MHz dan > 300 pada 1 GHz; ESR di bawah 0,1 Ω pada 1 GHz.
• Substrat silikon float-zone di atas 1000 Ω·cm untuk kehilangan substrat yang rendah.
• Elektroda atas TiW-Au dan belakang TiW-Pt-Au untuk pengikatan kawat dan pemasangan die eutektik.
• Tersedia dalam nilai kapasitansi khusus pada platform 0,50 mm yang sama.

Spesifikasi Listrik (T = 25°C kecuali dinyatakan lain)

Aplikasi Tipikal

• Pencocokan input penguat kebisingan sangat rendah (LNA) dan pemblokiran DC
• Sirkuit tangki osilator VCO dan PLL fase kebisingan rendah
• Ujung depan penerima RF dan modul beamformer array
• Injeksi bias kebisingan rendah dan pemisahan catu daya
• Instrumentasi pengujian dan pengukuran yang sensitif terhadap kebisingan