| Nom De La Marque: | Hoan |
| Numéro De Modèle: | HACC101S30V220 |
| Quantité Minimale De Commande: | 10 pièces |
| Conditions De Paiement: | LC, D/A, D/P, T/T |
Résumé: Le HACC101S30V220 est un condensateur MOS (métal-oxyde-semiconducteur) monocouche de 22 pF ±10%, 30 V DC, construit sur un substrat de silicium float-zone avec un diélectrique thermique SiO2 de 300 nm. Il est conçu pour l'adaptation d'entrée d'amplificateur à très faible bruit (LNA) et le blocage DC, où le bruit du composant et le comportement de l'interface déterminent le facteur de bruit du récepteur.
Le HACC101S30V220 utilise une structure MOS monocouche au lieu d'un empilement céramique multicouche. La puce mesure 0,50 × 0,50 × 0,15 mm avec une métallisation supérieure en or de 2,5 µm minimum et un placage arrière en or de 1,0 µm minimum. Il est soudable par fil et compatible avec la fixation de puce eutectique, et est proposé avec des tolérances de capacité standard de ±10% (K) et ±5% (J).
| Paramètre | Valeur | Condition de test |
|---|---|---|
| Capacité | 22 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Options de tolérance de capacité | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| Tension DC nominale | 30 V | Fonctionnement continu |
| Rigidité diélectrique | Supérieure à 100 V DC | 1 minute, 25°C |
| ESL de puce intrinsèque | Inférieure à 0,05 nH | Dé-embedded à partir des paramètres S |
| Facteur Q | >2000 à 1 MHz, >300 à 1 GHz | Typique |
| ESR à 1 GHz | Inférieure à 0,1 Ω | Typique |
| Courant de fuite | Inférieur à 10 nA | 30 V DC, 25°C |
| Sortie piézoélectrique | En dessous du plancher de bruit | 10 g, balayage 20 Hz-2 kHz |
| Diélectrique | SiO thermique2, 300 nm | Oxydation sèche |
| Substrat | Si float-zone, supérieur à 1000 Ω·cm | Haute résistivité |
| Dimensions de la puce | 0,50 × 0,50 × 0,15 mm | ±0,025 mm |
| Métal supérieur / arrière | Au 2,5 µm / Au 1,0 µm | Couche d'adhérence TiW |
| Température de fonctionnement | -55°C à +125°C | — |
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