Détails des produits

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Condensateurs MOS
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HACC101S30V220 Condensateurs MOS à ultra-faible bruit 22pF 30V pour le contrôle du bruit des supports chauds pour les LNA

HACC101S30V220 Condensateurs MOS à ultra-faible bruit 22pF 30V pour le contrôle du bruit des supports chauds pour les LNA

Nom De La Marque: Hoan
Numéro De Modèle: HACC101S30V220
Quantité Minimale De Commande: 10 pièces
Conditions De Paiement: LC, D/A, D/P, T/T
Informations détaillées
Lieu d'origine:
Shaanxi, Chine
Certification:
ISO 9001:2015, RoHS
Métallisation supérieure:
Au, 2,5 um min
Métallisation arrière:
Au, 1,0 um min
Température de fonctionnement:
-55°C à +125°C
RoHS:
Conforme à la norme UE 2015/863
Classe ESD:
Classe 0 (HBM)
Type de montage:
Fixation de matrice à liaison filaire/eutectique
Mettre en évidence:

Condensateur MOS à bruit ultra faible

,

Condensateur MOS HACC101S30V220 22pF

,

Condensateur MOS 30V pour LNA

Description de produit

Condensateur MOS à très faible bruit HACC101S30V220 22pF 30V


Résumé: Le HACC101S30V220 est un condensateur MOS (métal-oxyde-semiconducteur) monocouche de 22 pF ±10%, 30 V DC, construit sur un substrat de silicium float-zone avec un diélectrique thermique SiO2 de 300 nm. Il est conçu pour l'adaptation d'entrée d'amplificateur à très faible bruit (LNA) et le blocage DC, où le bruit du composant et le comportement de l'interface déterminent le facteur de bruit du récepteur.


Vue d'ensemble

Le HACC101S30V220 utilise une structure MOS monocouche au lieu d'un empilement céramique multicouche. La puce mesure 0,50 × 0,50 × 0,15 mm avec une métallisation supérieure en or de 2,5 µm minimum et un placage arrière en or de 1,0 µm minimum. Il est soudable par fil et compatible avec la fixation de puce eutectique, et est proposé avec des tolérances de capacité standard de ±10% (K) et ±5% (J).


Caractéristiques principales

  • Contrôle du bruit thermique des porteurs chauds : ESL de puce intrinsèque inférieure à 0,05 nH avec une faible densité de pièges d'interface.
  • Suppression du bruit des porteurs chauds : pas de sortie piézoélectrique ou microphonique.
  • 22 pF ±10% (5% disponible) à 30 V DC sans dérating de capacité en polarisation DC.
  • Q > 2000 à 1 MHz et > 300 à 1 GHz ; ESR inférieure à 0,1 Ω à 1 GHz.
  • Substrat de silicium float-zone supérieur à 1000 Ω·cm pour de faibles pertes de substrat.
  • Électrode supérieure TiW-Au et arrière TiW-Pt-Au pour la soudure par fil et la fixation de puce eutectique.
  • Disponible en valeurs de capacité personnalisées sur la même plateforme de 0,50 mm.


Spécifications électriques (T = 25°C sauf indication contraire)

Paramètre Valeur Condition de test
Capacité 22 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Options de tolérance de capacité ±10% (K), ±5% (J) —
Tension DC nominale 30 V Fonctionnement continu
Rigidité diélectrique Supérieure à 100 V DC 1 minute, 25°C
ESL de puce intrinsèque Inférieure à 0,05 nH Dé-embedded à partir des paramètres S
Facteur Q >2000 à 1 MHz, >300 à 1 GHz Typique
ESR à 1 GHz Inférieure à 0,1 Ω Typique
Courant de fuite Inférieur à 10 nA 30 V DC, 25°C
Sortie piézoélectrique En dessous du plancher de bruit 10 g, balayage 20 Hz-2 kHz
Diélectrique SiO thermique2, 300 nm Oxydation sèche
Substrat Si float-zone, supérieur à 1000 Ω·cm Haute résistivité
Dimensions de la puce 0,50 × 0,50 × 0,15 mm ±0,025 mm
Métal supérieur / arrière Au 2,5 µm / Au 1,0 µm Couche d'adhérence TiW
Température de fonctionnement -55°C à +125°C —


Applications typiques

  • Adaptation d'entrée et blocage DC d'amplificateur à très faible bruit (LNA)
  • Circuits résonants de VCO et oscillateurs PLL à faible bruit de phase
  • Frontaux de récepteurs RF et modules de formation de faisceaux matriciels
  • Injection de polarisation à faible bruit et découplage d'alimentation
  • Instrumentation de mesure et de test sensible au bruit


HACC101S30V220 Condensateurs MOS à ultra-faible bruit 22pF 30V pour le contrôle du bruit des supports chauds pour les LNA