Capacitores MOS de Ruído Ultra Baixo HACC101S30V220 22pF 30V Controle de Ruído de Portadora Quente para LNA

Capacitor MOS de ruído ultra baixo HACC101S30V220 22pF 30V

Resumo:O HACC101S30V220 é um condensador MOS (metal-óxido-semicondutor) de uma única camada de 30 V DC de 22 pF ± 10%, construído num substrato de silício de zona flutuante com um SiO térmico de 300 nm₂Ele é concebido para a correspondência de entrada de amplificador de ruído ultra baixo (LNA) e bloqueio de CC, onde o ruído do componente e o comportamento da interface determinam o valor de ruído do receptor.

Resumo

O HACC101S30V220 usa uma estrutura MOS de uma única camada em vez de uma pilha de cerâmica de várias camadas.0 μm de ouro mínimo na parte traseiraÉ ligável a fio e compatível com o acoplamento eutectico, e é oferecido em tolerâncias de capacitância padrão de ± 10% (K) e ± 5% (J).

Características fundamentais

• Controle do ruído térmico do transportador quente: ESL intrínseco do chip inferior a 0,05 nH com baixa densidade de captura da interface.
• Supressão de ruído por transportador quente: não há saída piezoelétrica ou microfónica.
• 22 pF ± 10% (5% disponíveis) a 30 V DC sem desratização da capacitância de desvio de CC.
• Q > 2000 a 1 MHz e > 300 a 1 GHz; ESR inferior a 0,1 Ω a 1 GHz.
• Substrato de silício de zona flutuante superior a 1000 Ω·cm para baixas perdas de substrato.
• Eletrodo superior de TiW-Au e parte traseira de TiW-Pt-Au para ligação de fios e fixação de matrizes eutéticas.
• Disponível em valores de capacitância personalizados na mesma plataforma de 0,50 mm.

Especificações elétricas (T = 25°C, salvo indicação)

Aplicações típicas

• Combinação de entrada de um amplificador de ruído ultrabaixo (LNA) e bloqueio de CC
• Circuitos de tanques de osciladores VCO e PLL com ruído de baixa fase
• Módulos de recepção de RF e módulos de formação de feixe de matriz
• Injecção de distorção de baixo ruído e desacoplamento da fonte de alimentação
• Instrumentos de ensaio e medição sensíveis ao ruído