HACC101S30V220 مكثفات MOS ذات ضوضاء منخفضة للغاية 22pF 30V تحكم ضوضاء الناقل الساخن لLNA

مكثف MOS ذو ضوضاء منخفضة للغاية HACC101S30V220 22pF 30V

ملخص:HACC101S30V220 هو مكثف MOS (أكسيد المعادن-أو نصف الموصلات) ذو طبقة واحدة 22 pF ± 10% ، 30 V DC مبني على رصيف السيليكون في منطقة العائمة مع SiO حرارية 300 nm₂المعديل الكهربائي. تم تصميمه لمطابقة المدخلات لمضخم الضوضاء المنخفضة للغاية (LNA) وحجب التيار المباشر ، حيث يحدد ضوضاء المكون وسلوك الواجهة رقم ضوضاء المستقبل.

نظرة عامة

يستخدم جهاز HACC101S30V220 بنية MOS من طبقة واحدة بدلاً من كومة سيراميكية متعددة الطبقات. تقيس الشريحة 0.50 × 0.50 × 0.15 مم مع 2.5 ميكرو متراً من الحد الأدنى للتعديل في القمة الذهبية و 1.0 ميكرومتر من الذهب في الجزء الخلفيإنه قابل لترابط الأسلاك ومتوافق مع التوصيل المقطعي الايتكتيكي ، ويتم تقديمه في معايير ± 10% (K) و ± 5% (J) من تساهلات السعة.

الخصائص الرئيسية

• التحكم في الضوضاء الحرارية من الناقل الساخن: ESL في الشريحة الداخلية أقل من 0.05 nH مع كثافة مصيدة واسعة.
• قمع الضوضاء من الناقل الساخن: لا يوجد مخرجات كهربائية أو ميكروفونية.
• 22 pF ± 10% (5% متاحة) عند 30 فولت DC دون تحديد سعة التحيز DC.
• Q > 2000 عند 1 ميغاهرتز و > 300 عند 1 غيغاهرتز؛ ESR أقل من 0.1 Ω عند 1 غيغاهرتز.
• أساس السيليكون في المنطقة العائمة أعلى من 1000 Ω · cm لخسارة الأساس المنخفضة.
• الالكترود العلوي من TiW-Au والجزء الخلفي من TiW-Pt-Au لربط الأسلاك وربط المقطوعات.
• متوفرة في قيم سعة مخصصة على نفس منصة 0.50 ملم.

المواصفات الكهربائية (T = 25 درجة مئوية ما لم يذكر)

تطبيقات نموذجية

• مكبر الضوضاء المنخفضة للغاية (LNA) تطابق المدخلات وحجب التيار المتردد
• دوائر خزان أوسيلاتور VCO و PLL ذات الضوضاء المنخفضة
• الطرف الأمامي لجهاز استقبال الترددات اللاسلكية ووحدات تشكيل الأشعة
• إدخال التحيز منخفض الضوضاء وتفكيك إمدادات الطاقة
• أجهزة الاختبار والقياس الحساسة للضوضاء