خازن‌های MOS فوق‌العاده کم نویز HACC101S30V220 22 پیکوفاراد 30 ولت کنترل نویز حامل داغ برای LNA

خازن MOS با نویز فوق‌العاده کم HACC101S30V220 22pF 30V

خلاصه:HACC101S30V220 یک خازن MOS (نیمه‌هادی اکسید فلز) تک لایه با ظرفیت 22 پیکوفاراد ±10% و ولتاژ 30 ولت DC است که بر روی یک زیرلایه سیلیکونی شناور با دی‌الکتریک SiO2 حرارتی 300 نانومتری ساخته شده است. این خازن برای تطبیق ورودی تقویت‌کننده نویز فوق‌العاده کم (LNA) و مسدود کردن DC طراحی شده است، جایی که نویز قطعه و رفتار رابط، ضریب نویز گیرنده را تعیین می‌کنند._{سیلیکون شناور، بالای 1000 اهم بر سانتی‌متر}HACC101S30V220 به جای پشته سرامیکی چند لایه، از ساختار MOS تک لایه استفاده می‌کند. ابعاد تراشه 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متر با حداقل فلزکاری طلای رویی 2.5 میکرومتر و حداقل طلای پشتی 1.0 میکرومتر است. این خازن قابل سیم‌بندی است و با اتصال یوتکتیک تراشه سازگار است و در تلرانس‌های ظرفیت استاندارد ±10% (K) و ±5% (J) ارائه می‌شود.

ویژگی‌های کلیدی

کنترل نویز حرارتی حامل داغ: ESL تراشه ذاتی کمتر از 0.05 نانوهنری با چگالی کم تله‌های رابط.

سرکوب نویز حامل داغ: بدون خروجی پیزوالکتریک یا میکروفونیک.

• 22 پیکوفاراد ±10% (5% موجود) در 30 ولت DC بدون کاهش ظرفیت با بایاس DC.
• Q > 2000 در 1 مگاهرتز و > 300 در 1 گیگاهرتز؛ ESR کمتر از 0.1 اهم در 1 گیگاهرتز.
• زیرلایه سیلیکونی شناور با مقاومت بالای 1000 اهم بر سانتی‌متر برای تلفات کم زیرلایه.
• الکترود رویی TiW-Au و پشت TiW-Pt-Au برای سیم‌بندی و اتصال یوتکتیک تراشه.
• در مقادیر ظرفیت سفارشی بر روی همان پلتفرم 0.50 میلی‌متری موجود است.
• مشخصات الکتریکی (T = 25 درجه سانتی‌گراد مگر اینکه خلاف آن ذکر شده باشد)
• پارامتر

مقدار

تزریق بایاس با نویز کم و جداسازی منبع تغذیه

• ابزارهای اندازه‌گیری و تست حساس به نویز