HACC101S30V220 এলএনএ-র জন্য আল্ট্রা লো নয়েজ এমওএস ক্যাপাসিটর 22pF 30V হট ক্যারিয়ার নয়েজ কন্ট্রোল

আল্ট্রা লো নয়েজ এমওএস ক্যাপাসিটর HACC101S30V220 22pF 30V

সংক্ষিপ্তসার:HACC101S30V220 হল একটি 22 পিএফ ±10%, 30 ভি ডিসি একক স্তর MOS (ধাতু-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী) ক্যাপাসিটর যা একটি 300 এনএম তাপীয় SiO সহ একটি ভাসমান-জোন সিলিকন সাবস্ট্র্যাটে নির্মিত₂এটি অতি-নিম্ন গোলমাল এম্প্লিফায়ার (এলএনএ) ইনপুট ম্যাচিং এবং ডিসি ব্লকিংয়ের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে, যেখানে উপাদান গোলমাল এবং ইন্টারফেসের আচরণ রিসিভারের গোলমালের সংখ্যা নির্ধারণ করে।

সংক্ষিপ্ত বিবরণ

HACC101S30V220 একটি মাল্টিলেয়ার সিরামিক স্ট্যাকের পরিবর্তে একটি এক-স্তরীয় এমওএস কাঠামো ব্যবহার করে। চিপটি 0.50 × 0.50 × 0.15 মিমি পরিমাপ করে 2.5 μm ন্যূনতম সোনার শীর্ষ ধাতবীকরণ এবং 1.0 μm ন্যূনতম ব্যাকসাইড গোল্ডএটি তারের বন্ডেবল এবং ইউটেটিক ডাই অ্যাটেচমেন্টের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ, এবং স্ট্যান্ডার্ড ± 10% (কে) এবং ± 5% (জে) ক্যাপাসিটেন্স টোলারেন্সে সরবরাহ করা হয়।

মূল বৈশিষ্ট্য

• গরম ক্যারিয়ার তাপীয় গোলমাল নিয়ন্ত্রণঃ 0.05 এনএইচ এর নিচে স্বতন্ত্র চিপ ESL কম ইন্টারফেস ফাঁদ ঘনত্ব সহ।
• গরম ক্যারিয়ার গোলমাল নিষ্কাশনঃ কোন পাইজো ইলেকট্রিক বা মাইক্রোফোনিক আউটপুট নেই।
• 22 পিএফ ± 10% (5% উপলব্ধ) 30 ভি ডিসিতে ডিসি বিভাজক ক্যাপাসিট্যান্স ডিরেটিং ছাড়াই।
• Q > 2000 1 MHz এবং > 300 1 GHz এ; ESR 1 GHz এ 0.1 Ω এর নিচে।
• 'ফ্লোটিং-জোন সিলিকন সাবস্ট্রেট' 1000 Ω·cm এর উপরে কম সাবস্ট্রেট ক্ষতির জন্য।
• টায়ার বন্ড এবং ইউটেটিক ডাই সংযুক্তির জন্য TiW-Au শীর্ষ ইলেকট্রোড এবং TiW-Pt-Au পিছনের অংশ।
• একই 0.50 মিমি প্ল্যাটফর্মে কাস্টম ক্যাপাসিটেন্স মানগুলিতে উপলব্ধ।

বৈদ্যুতিক স্পেসিফিকেশন (T = 25°C যদি উল্লেখ না করা হয়)

সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন

• অতি-নিম্ন গোলমাল এম্প্লিফায়ার (এলএনএ) ইনপুট ম্যাচিং এবং ডিসি ব্লকিং
• নিম্ন পর্যায়ের গোলমাল ভিসিও এবং পিএলএল ওসিলেটর ট্যাঙ্ক সার্কিট
• আরএফ রিসিভারের সামনের প্রান্ত এবং অ্যারে বিমফর্মার মডিউল
• কম গোলমালের পক্ষপাত ইনজেকশন এবং পাওয়ার সাপ্লাই ডিসকপলিং
• শব্দ সংবেদনশীল পরীক্ষা এবং পরিমাপ যন্ত্রপাতি