HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| 브랜드 이름: | Hoan |
| 모델 번호: | HACC101S30V220 |
| MOQ: | 10개 |
| 지불 조건: | L/C,D/A,D/P,T/T |
요약: HACC101S30V220은 22 pF ±10%, 30 V DC 단일층 MOS(금속-산화물-반도체) 커패시터로, 300 nm 열 산화 SiO2 유전체를 갖춘 플로트 존 실리콘 기판에 제작되었습니다. 이 제품은 부품 잡음과 인터페이스 동작이 수신기 잡음 지수를 결정하는 초저잡음 증폭기(LNA) 입력 매칭 및 DC 차단용으로 설계되었습니다.플로트 존 Si, 1000 Ω·cm 이상HACC101S30V220은 다층 세라믹 스택 대신 단일층 MOS 구조를 사용합니다. 칩 크기는 0.50 × 0.50 × 0.15 mm이며, 최소 2.5 µm 금 상단 금속화와 최소 1.0 µm 후면 금을 사용합니다. 와이어 본딩이 가능하며 공융 다이 어태치와 호환됩니다. 표준 ±10%(K) 및 ±5%(J) 커패시턴스 허용 오차로 제공됩니다.
핫 캐리어 열 잡음 제어: 낮은 인터페이스 트랩 밀도를 갖춘 0.05 nH 미만의 고유 칩 ESL.
| 테스트 조건 | 커패시턴스 | 22 pF ±10% |
|---|---|---|
| 1 MHz, 1.0 Vrms | 커패시턴스 허용 오차 옵션 | ±10%(K), ±5%(J) |
| — | 정격 DC 전압 | RF 수신기 프론트 엔드 및 배열 빔포머 모듈 |
| 연속 작동 | 유전체 강도 | 100 V DC 이상 |
| 1분, 25°C | 고유 칩 ESL | 0.05 nH 미만 |
| S-파라미터에서 디임베딩됨 | Q 팩터 | 1 MHz에서 >2000, 1 GHz에서 >300 |
| 일반 | 1 GHz에서 ESR | 10 nA 미만 |
| 일반 | 누설 전류 | 10 nA 미만 |
| 30 V DC, 25°C | 압전 출력 | 잡음 바닥 미만 |
| 10 g, 20 Hz-2 kHz 스윕 | 유전체 | 열 산화 SiO2, 300 nm |
| 건식 산화 | 기판플로트 존 Si, 1000 Ω·cm 이상고저항 | 칩 치수 |
| 0.50 × 0.50 × 0.15 mm | ±0.025 mm | 상단/후면 금속 |
| Au 2.5 µm / Au 1.0 µm | TiW 접착층 | 작동 온도 |
| -55°C ~ +125°C | — | 일반적인 응용 분야 |
| 초저잡음 증폭기(LNA) 입력 매칭 및 DC 차단 | 저위상 잡음 VCO 및 PLL 발진기 탱크 회로 | RF 수신기 프론트 엔드 및 배열 빔포머 모듈 |
