HACC101S30V220 Ultra Düşük Gürültülü MOS Kapasitörler 22pF 30V LNA için Sıcak Taşıyıcı Gürültü Kontrolü

Ultra Düşük Gürültülü MOS Kapasitör HACC101S30V220 22pF 30V

Özet: HACC101S30V220, 300 nm termal SiO₂ dielektrik üzerine inşa edilmiş, float-zone silikon alt tabaka üzerinde üretilmiş 22 pF ±10%, 30 V DC tek katmanlı MOS (metal-oksit-yarı iletken) kapasitördür. Bileşen gürültüsünün ve arayüz davranışının alıcı gürültü faktörünü belirlediği ultra düşük gürültülü amplifikatör (LNA) giriş eşleştirmesi ve DC engelleme için tasarlanmıştır.

Genel Bakış

HACC101S30V220, çok katmanlı seramik yığın yerine tek katmanlı bir MOS yapısı kullanır. Çip, 2.5 µm minimum altın üst metalizasyon ve 1.0 µm minimum arka altın ile 0.50 × 0.50 × 0.15 mm boyutlarındadır. Tel ile bağlanabilir ve ötektik çip yapıştırma ile uyumludur ve standart ±10% (K) ve ±5% (J) kapasitans toleranslarında sunulmaktadır.

Ana Özellikler

• Sıcak taşıyıcı termal gürültü kontrolü: düşük arayüz tuzak yoğunluğu ile 0.05 nH'nin altında içsel çip ESL.
• Sıcak taşıyıcı gürültü bastırma: piezoelektrik veya mikrofonik çıkış yok.
• DC bias kapasitans düşüşü olmadan 30 V DC'de 22 pF ±10% (5% mevcut).
• 1 MHz'de > 2000 ve 1 GHz'de > 300; 1 GHz'de 0.1 Ω'nin altında ESR.
• Düşük alt tabaka kaybı için 1000 Ω·cm'nin üzerinde float-zone silikon alt tabaka.
• Tel bağlama ve ötektik çip yapıştırma için TiW-Au üst elektrot ve TiW-Pt-Au arka yüz.
• Aynı 0.50 mm platformda özel kapasitans değerlerinde mevcuttur.

Elektriksel Özellikler (T = 25°C, aksi belirtilmedikçe)

Tipik Uygulamalar

• Ultra düşük gürültülü amplifikatör (LNA) giriş eşleştirmesi ve DC engelleme
• Düşük faz gürültülü VCO ve PLL osilatör tank devreleri
• RF alıcı ön uçları ve dizi ışın oluşturucu modülleri
• Düşük gürültülü bias enjeksiyonu ve güç kaynağı ayrıştırması
• Gürültüye duyarlı test ve ölçüm cihazları