HACC101S30V220 Ультранизкий уровень шума MOS конденсаторы 22pF 30V горячий носитель шума контроля для LNA

Ультранизкий шум MOS конденсатор HACC101S30V220 22pF 30V

Резюме:HACC101S30V220 представляет собой однослойный конденсатор MOS (металлооксид-полупроводник) мощностью 22 pF ± 10%, 30 V постоянного тока, построенный на кремниевом субстрате плавающей зоны с тепловым SiO 300 нм₂Диэлектрический, предназначенный для сопоставления входа ультранизкого шума усилителя (LNA) и блокировки постоянного тока, где шум компонента и поведение интерфейса определяют значение шума приемника.

Обзор

В HACC101S30V220 используется однослойная структура MOS вместо многослойного керамического стека.0 мкм минимальное количество золота на заднем планеОн поддается прокладке проволокой и совместим с евтектическими накладками, и предлагается в стандартных допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допустимых допусти

Ключевые особенности

• Контроль теплового шума на горячем носителе: ESL внутреннего чипа ниже 0,05 нН с низкой плотностью интерфейса ловушки.
• Снижение шума на горячем носителе: нет пьезоэлектрического или микрофонического выхода.
• 22 pF ± 10% (доступные 5%) при 30 В постоянном напряжении без снижения емкости отклонения постоянного напряжения.
• Q > 2000 при 1 МГц и > 300 при 1 ГГц; ESR менее 0,1 Ω при 1 ГГц.
• Силиконовый субстрат с плавающей зоной выше 1000 Ω·cm для низкой потери субстрата.
• TiW-Au верхний электрод и TiW-Pt-Au задняя сторона для проволочного соединения и эвтектического соединения.
• Доступен в индивидуальных значениях емкости на той же платформе 0,50 мм.

Электрические характеристики (T = 25°C, если не указано)

Типичные применения

• Усилители сверхнизкого шума (LNA) для сопоставления ввода и блокировки постоянного тока
• Схемы резервуаров с низким уровнем фазового шума VCO и PLL
• РЧ-приемник передние концы и модули массива пучков
• Инъекция с низким уровнем шума и разъединение питания
• Приборы для испытаний и измерений, чувствительные к шуму