HACC101S30V220 Ultra Low Noise MOS Kondensatoren 22pF 30V Hot Carrier Noise Control für LNA

MOS-Kondensator mit sehr geringer Geräuschbelastung HACC101S30V220 22pF 30V

Zusammenfassung:Der HACC101S30V220 ist ein 22 pF ± 10% DC-Kondensator mit einer einzigen Schicht MOS (Metall-Oxid-Halbleiter), der auf einem Float-Zone-Silizium-Substrat mit einer SiO-Wärme von 300 nm errichtet wurde₂Dies ist für die Anpassung der Eingabe und die Gleichspannungsblockade von Ultra-Low-Noise-Verstärkern (LNA) ausgelegt, wobei das Geräusch des Empfängers durch das Geräusch der Komponenten und das Verhalten der Schnittstelle bestimmt wird.

Übersicht

Der HACC101S30V220 verwendet eine einlagige MOS-Struktur anstelle eines mehrschichtigen Keramikstapels.0 μm Mindestgehalt an Rückseite aus GoldEs ist drahtverbindlich und mit eutikischen Druckvorrichtungen kompatibel und wird in Standard-Kapazitätstoleranzen von ± 10% (K) und ± 5% (J) angeboten.

Wesentliche Merkmale

• "Technologie" für die "Behandlung" der folgenden Eigenschaften:
• Geräuschunterdrückung mit heißem Träger: keine piezoelektrischen oder mikrofonischen Ausgänge.
• 22 pF ± 10% (5% verfügbar) bei 30 V Gleichstrom ohne DC-Bewusstseinkapazitätsabnahme.
• Q > 2000 bei 1 MHz und > 300 bei 1 GHz; ESR unter 0,1 Ω bei 1 GHz.
• Silikonsubstrat mit Schwimmzone über 1000 Ω·cm für geringe Substratverluste.
• TiW-Au-Oberelektrode und TiW-Pt-Au-Hinterseite für Drahtverbindungen und eutextische Verstärkung.
• Erhältlich in kundenspezifischen Kapazitätswerten auf der gleichen 0,50 mm-Plattform.

Elektrische Spezifikationen (T = 25°C, sofern nicht angegeben)

Typische Anwendungen

• Eintrittsübereinstimmung und Gleichspannungsblockade für Ultra-Low-Noise-Verstärker (LNA)
• Niedrigphasenlärm-VCO- und PLL-Oszillatortankkreise
• HF-Empfänger-Vorderkante und Array-Beamformer-Module
• Niedriglärm-B bias-Injektion und Stromversorgungs-Entkopplung
• Geräten für die Geräuschempfindliche Prüfung und Messung