szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

HACC101S30V220 Kondensatory MOS o ultra niskim poziomie hałasu 22pF 30V Hot Carrier Noise Control dla LNA

HACC101S30V220 Kondensatory MOS o ultra niskim poziomie hałasu 22pF 30V Hot Carrier Noise Control dla LNA

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC101S30V220
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: L/C, D/A, D/P, T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Najlepsza metalizacja:
Au, 2,5 um min
Metalizacja z tyłu:
Au, 1,0 um min
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
RoHS:
Zgodny z UE 2015/863
Klasa ESD:
Klasa 0 (HBM)
Typ mocowania:
Mocowanie drutu / matrycy eutektycznej
Podkreślić:

Kondensator MOS o bardzo niskim poziomie hałasu

,

Kondensator HACC101S30V220 22pF MOS

,

Kondensator MOS 30V do LNA

Opis produktu

Kondensator MOS o bardzo niskim poziomie hałasu HACC101S30V220 22pF 30V


Podsumowanie:HACC101S30V220 jest kondensatorem MOS (metalo-tlenek-półprzewodnik) o jednej warstwie o napięciu 22 pF ± 10%, 30 V prądu stałego zbudowanym na podłożu krzemu w strefie pływającej o temperaturze SiO 300 nm2Jest przeznaczony do dopasowywania wejścia wzmacniacza ultra-niskiego hałasu (LNA) i blokowania prądu stałego, w których poziom hałasu odbiornika określa hałas komponentu i zachowanie interfejsu.


Przegląd

HACC101S30V220 wykorzystuje jednowarstwową strukturę MOS zamiast wielowarstwowego stosu ceramicznego.0 μm minimum złota z tyłuJest wytrzymały i kompatybilny z układem eutektycznym i jest oferowany w standardowych tolerancjach pojemności ± 10% (K) i ± 5% (J).


Kluczowe cechy

  • Kontrola hałasu termicznego na gorącym nośniku: wewnętrzne chipy ESL poniżej 0,05 nH z niską gęstością pułapki interfejsu.
  • Utrzymanie hałasu przez ciepły nośnik: brak wyjścia piezoelektrycznego lub mikrofonowego.
  • "Systemy do monitorowania" obejmujące urządzenia do monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania, monitorowania i monitorowania.
  • Q > 2000 przy 1 MHz i > 300 przy 1 GHz; ESR poniżej 0,1 Ω przy 1 GHz.
  • Substrat krzemu o strefie pływającej powyżej 1000 Ω·cm dla niskiej straty podłoża.
  • Elektrodę górną TiW-Au i tylną stronę TiW-Pt-Au do wiązania drutu i przymocowania euektycznej.
  • Dostępne w niestandardowych wartościach pojemności na tej samej platformie 0,50 mm.


Specyfikacje elektryczne (T = 25°C, chyba że jest to zaznaczone)

Parametry Wartość Warunki badania
Pojemność 22 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Opcje tolerancji pojemności ±10% (K), ±5% (J) /
Narysowane napięcie prądu stałego 30 V Kontynuacja pracy
Siła dielektryczna Powyżej 100 V prądu stałego 1 minuta, 25°C
Własny chip ESL poniżej 0,05 nH Wyłączone z S-parametry
Czynnik Q > 2000 przy 1 MHz, > 300 przy 1 GHz Typowe
ESR w 1 GHz poniżej 0,1 Ω Typowe
Prąd przecieku Mniej niż 10 nA 30 V prądu stałego, 25°C
Wydajność piezoelektryczna Powyżej poziomu hałasu 10 g, 20 Hz-2 kHz zamiatanie
Elektryczne SiO cieplny2, 300 nm Suszone utlenianie
Substrat Strefa pływania Si, powyżej 1000 Ω·cm Wysoka odporność
Wymiary chipów 00,50 × 0,50 × 0,15 mm ±0,025 mm
Metal z góry / z tyłu Au 2,5 μm / Au 1,0 μm Warstwa przyczepności TiW
Temperatura pracy -55°C do +125°C /


Typowe zastosowania

  • Zastosowanie wejściowe wzmacniacza ultra-niskiego hałasu (LNA) i blokowanie prądu stałego
  • Obwody zbiornika oscylatora o niskim poziomie hałasu fazowego VCO i PLL
  • Moduły przednie odbiornika RF i moduły beamformerów
  • Wstrzyknięcie i odłączanie zasilania o niskim poziomie hałasu
  • Przyrządy do badań i pomiarów czułe na hałas


HACC101S30V220 Kondensatory MOS o ultra niskim poziomie hałasu 22pF 30V Hot Carrier Noise Control dla LNA