| Nazwa marki: | Hoan |
| Numer modelu: | HACC101S30V220 |
| MOQ: | 10 sztuk |
| Warunki płatności: | L/C, D/A, D/P, T/T |
Podsumowanie:HACC101S30V220 jest kondensatorem MOS (metalo-tlenek-półprzewodnik) o jednej warstwie o napięciu 22 pF ± 10%, 30 V prądu stałego zbudowanym na podłożu krzemu w strefie pływającej o temperaturze SiO 300 nm2Jest przeznaczony do dopasowywania wejścia wzmacniacza ultra-niskiego hałasu (LNA) i blokowania prądu stałego, w których poziom hałasu odbiornika określa hałas komponentu i zachowanie interfejsu.
HACC101S30V220 wykorzystuje jednowarstwową strukturę MOS zamiast wielowarstwowego stosu ceramicznego.0 μm minimum złota z tyłuJest wytrzymały i kompatybilny z układem eutektycznym i jest oferowany w standardowych tolerancjach pojemności ± 10% (K) i ± 5% (J).
| Parametry | Wartość | Warunki badania |
|---|---|---|
| Pojemność | 22 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Opcje tolerancji pojemności | ±10% (K), ±5% (J) | / |
| Narysowane napięcie prądu stałego | 30 V | Kontynuacja pracy |
| Siła dielektryczna | Powyżej 100 V prądu stałego | 1 minuta, 25°C |
| Własny chip ESL | poniżej 0,05 nH | Wyłączone z S-parametry |
| Czynnik Q | > 2000 przy 1 MHz, > 300 przy 1 GHz | Typowe |
| ESR w 1 GHz | poniżej 0,1 Ω | Typowe |
| Prąd przecieku | Mniej niż 10 nA | 30 V prądu stałego, 25°C |
| Wydajność piezoelektryczna | Powyżej poziomu hałasu | 10 g, 20 Hz-2 kHz zamiatanie |
| Elektryczne | SiO cieplny2, 300 nm | Suszone utlenianie |
| Substrat | Strefa pływania Si, powyżej 1000 Ω·cm | Wysoka odporność |
| Wymiary chipów | 00,50 × 0,50 × 0,15 mm | ±0,025 mm |
| Metal z góry / z tyłu | Au 2,5 μm / Au 1,0 μm | Warstwa przyczepności TiW |
| Temperatura pracy | -55°C do +125°C | / |
![]()