| Nombre De La Marca: | Hoan |
| Número De Modelo: | HACC101S30V220 |
| Cantidad Mínima De Pedido: | 10 piezas |
| Condiciones De Pago: | LC, D/A, D/P, T/T |
Resumen: El HACC101S30V220 es un condensador MOS (semiconductor de óxido metálico) de una sola capa de 22 pF ±10%, 30 V CC, construido sobre un sustrato de silicio de zona flotante con un SiO térmico de 300 nm2 dieléctrico. Está diseñado para la adaptación de entrada de amplificadores de ruido ultrabajo (LNA) y el bloqueo de CC, donde el ruido del componente y el comportamiento de la interfaz determinan la figura de ruido del receptor.
El HACC101S30V220 utiliza una estructura MOS de una sola capa en lugar de un apilamiento cerámico multicapa. El chip mide 0,50 × 0,50 × 0,15 mm con metalización superior de oro mínima de 2,5 µm y oro posterior mínimo de 1,0 µm. Es soldable por hilo y compatible con la unión eutéctica de troquel, y se ofrece en tolerancias de capacitancia estándar de ±10% (K) y ±5% (J).
| Parámetro | Valor | Condición de prueba |
|---|---|---|
| Capacitancia | 22 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Opciones de tolerancia de capacitancia | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| Tensión nominal de CC | 30 V | Operación continua |
| Rigidez dieléctrica | Superior a 100 V CC | 1 minuto, 25 °C |
| ESL de chip intrínseca | Inferior a 0,05 nH | Desvinculado de parámetros S |
| Factor Q | >2000 a 1 MHz, >300 a 1 GHz | Típico |
| ESR a 1 GHz | Inferior a 0,1 Ω | Típico |
| Corriente de fuga | Inferior a 10 nA | 30 V CC, 25 °C |
| Salida piezoeléctrica | Por debajo del suelo de ruido | 10 g, barrido de 20 Hz-2 kHz |
| Dieléctrico | SiO térmico2, 300 nm | Oxidación en seco |
| Sustrato | Si de zona flotante, superior a 1000 Ω·cm | Alta resistividad |
| Dimensiones del chip | 0,50 × 0,50 × 0,15 mm | ±0,025 mm |
| Metal superior / posterior | Au 2,5 µm / Au 1,0 µm | Capa de adhesión TiW |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C a +125 °C | — |
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