Detalles de los productos

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Condensadores MOS
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HACC101S30V220 Condensadores MOS de ruido ultra bajo 22pF 30V Control de ruido de portador caliente para LNA

HACC101S30V220 Condensadores MOS de ruido ultra bajo 22pF 30V Control de ruido de portador caliente para LNA

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HACC101S30V220
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: LC, D/A, D/P, T/T
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015, RoHS
Metalización superior:
Au, 2,5 um mín.
Metalización trasera:
Au, 1,0 um mín.
Temperatura de funcionamiento:
-55°C a +125°C
RoHS:
Cumple con la UE 2015/863
Clase ESD:
Clase 0 (HBM)
Tipo de montaje:
Fijación de matriz eutéctica / adherible con alambre
Resaltar:

Capacitador MOS de ruido muy bajo

,

HACC101S30V220 condensador MOS de 22pF

,

Capacitador MOS de 30 V para LNA

Descripción de producto

Condensador MOS de ruido ultrabajo HACC101S30V220 22pF 30V


Resumen: El HACC101S30V220 es un condensador MOS (semiconductor de óxido metálico) de una sola capa de 22 pF ±10%, 30 V CC, construido sobre un sustrato de silicio de zona flotante con un SiO térmico de 300 nm2 dieléctrico. Está diseñado para la adaptación de entrada de amplificadores de ruido ultrabajo (LNA) y el bloqueo de CC, donde el ruido del componente y el comportamiento de la interfaz determinan la figura de ruido del receptor.


Visión general

El HACC101S30V220 utiliza una estructura MOS de una sola capa en lugar de un apilamiento cerámico multicapa. El chip mide 0,50 × 0,50 × 0,15 mm con metalización superior de oro mínima de 2,5 µm y oro posterior mínimo de 1,0 µm. Es soldable por hilo y compatible con la unión eutéctica de troquel, y se ofrece en tolerancias de capacitancia estándar de ±10% (K) y ±5% (J).


Características principales

  • Control de ruido térmico de portadores calientes: ESL de chip intrínseca inferior a 0,05 nH con baja densidad de trampas de interfaz.
  • Supresión de ruido de portadores calientes: sin salida piezoeléctrica o microfónica.
  • 22 pF ±10% (disponible 5%) a 30 V CC sin reducción de capacitancia por polarización de CC.
  • Q > 2000 a 1 MHz y > 300 a 1 GHz; ESR inferior a 0,1 Ω a 1 GHz.
  • Sustrato de silicio de zona flotante superior a 1000 Ω·cm para baja pérdida de sustrato.
  • Electrodo superior TiW-Au y posterior TiW-Pt-Au para unión por hilo y unión eutéctica de troquel.
  • Disponible en valores de capacitancia personalizados en la misma plataforma de 0,50 mm.


Especificaciones eléctricas (T = 25 °C a menos que se indique lo contrario)

Parámetro Valor Condición de prueba
Capacitancia 22 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Opciones de tolerancia de capacitancia ±10% (K), ±5% (J) —
Tensión nominal de CC 30 V Operación continua
Rigidez dieléctrica Superior a 100 V CC 1 minuto, 25 °C
ESL de chip intrínseca Inferior a 0,05 nH Desvinculado de parámetros S
Factor Q >2000 a 1 MHz, >300 a 1 GHz Típico
ESR a 1 GHz Inferior a 0,1 Ω Típico
Corriente de fuga Inferior a 10 nA 30 V CC, 25 °C
Salida piezoeléctrica Por debajo del suelo de ruido 10 g, barrido de 20 Hz-2 kHz
Dieléctrico SiO térmico2, 300 nm Oxidación en seco
Sustrato Si de zona flotante, superior a 1000 Ω·cm Alta resistividad
Dimensiones del chip 0,50 × 0,50 × 0,15 mm ±0,025 mm
Metal superior / posterior Au 2,5 µm / Au 1,0 µm Capa de adhesión TiW
Temperatura de funcionamiento -55 °C a +125 °C —


Aplicaciones típicas

  • Adaptación de entrada y bloqueo de CC de amplificadores de ruido ultrabajo (LNA)
  • Circuitos de tanque de oscilador VCO y PLL de bajo ruido de fase
  • Frontales de receptores de RF y módulos formadores de haz de antena
  • Inyección de polarización de bajo ruido y desacoplo de fuente de alimentación
  • Instrumentación de medición y prueba sensible al ruido


HACC101S30V220 Condensadores MOS de ruido ultra bajo 22pF 30V Control de ruido de portador caliente para LNA