HACC101S30V220 Συμπιεστήρες MOS με εξαιρετικά χαμηλό θόρυβο 22pF 30V θερμού φορέα ελέγχου θορύβου για LNA

Συσσωρευτής MOS με εξαιρετικά χαμηλό θόρυβο HACC101S30V220 22pF 30V

Σύνοψη:Ο HACC101S30V220 είναι ένας ενιαίο στρώμα MOS (μεταλλικό οξείδιο-ημιαγωγός) πυκνωτής συνεχούς τάσης 30 V 22 pF ± 10%, κατασκευασμένος σε υπόστρωμα πυριτίου πλωτής ζώνης με θερμική τιμή SiO 300 nm₂Η συσκευή αυτή έχει σχεδιαστεί για την αντιστοίχιση εισόδου με τον ενισχυτή υπερχαμηλού θορύβου (LNA) και το μπλοκάρισμα συνεχούς ρεύματος, όπου ο θόρυβος των κατασκευαστικών στοιχείων και η συμπεριφορά των διεπαφών καθορίζουν τον αριθμό θορύβου του δέκτη.

Σύνοψη

Το HACC101S30V220 χρησιμοποιεί μια μονοστρωμική δομή MOS αντί μιας πολυστρωμικής κεραμικής στοίβας.0 μm ελάχιστο χρυσό πίσωΕίναι συνδεδεμένο με σύρμα και συμβατό με την ευτεκτική κοπή και προσφέρεται σε τυποποιημένες ανοχές χωρητικότητας ± 10% (K) και ± 5% (J).

Βασικά χαρακτηριστικά

• Έλεγχος θερμικού θορύβου με θερμό φορέα: εγγενές chip ESL κάτω των 0,05 nH με χαμηλή πυκνότητα παγίδας διεπαφής.
• Μείωση θορύβου με θερμό φορέα: δεν υπάρχει πιεζοηλεκτρική ή μικροφωνική έξοδος.
• 22 pF ± 10% (5% διαθέσιμα) σε 30 V συνεχούς ρεύματος χωρίς εκτίμηση της χωρητικότητας παραμερισμού συνεχούς ρεύματος.
• Q > 2000 σε 1 MHz και > 300 σε 1 GHz· ESR κάτω των 0,1 Ω σε 1 GHz.
• Υπόστρωμα πυριτίου ζώνης πλεύσης άνω των 1000 Ω·cm για χαμηλή απώλεια υποστρώματος.
• Πάνω ηλεκτρόδιο TiW-Au και πίσω μέρος TiW-Pt-Au για σύνδεση καλωδίου και ευτεκτική σύνδεση.
• Διαθέσιμο σε προσαρμοσμένες τιμές χωρητικότητας στην ίδια πλατφόρμα 0,50 mm.

Ηλεκτρικές προδιαγραφές (T = 25°C, εκτός εάν αναφέρεται)

Τυπικές εφαρμογές

• Αντιστοίχιση εισόδου και αποκλεισμός συνεχούς ρεύματος με ενισχυτή υπερχαμηλού θορύβου (LNA)
• Συστήματα δεξαμενών οσκιλητήρων χαμηλής φάσης ήχου VCO και PLL
• Προσωρινά άκρα δέκτη ραδιοσυχνοτήτων και μονάδες διαμόρφωσης δέσμης ακτίνων
• Ένέκτηση και αποσύνδεση τροφοδοσίας με χαμηλό θόρυβο
• Έργα δοκιμής και μέτρησης ευαίσθητα στον θόρυβο