Condensatori MOS a banda larga HACC105S30V150 150pF 30V Ammorbidimento della dispersione di frequenza per la banda Ku Ka

Condensatore MOS a banda larga HACC105S30V150 150pF 30V

Riepilogo: L'HACC105S30V150 è un condensatore MOS (metal-oxide-semiconductor) a singolo strato da 150 pF ±10%, 30 V DC con dispersione di frequenza smorzata e una risposta dielettrica piatta da DC alla banda Ka. È destinato a catene di segnale RF a banda ultra-larga che richiedono un valore di capacità che non cambia con la frequenza.

Panoramica

L'HACC105S30V150 utilizza una struttura MOS a singolo strato su un substrato di silicio float-zone (sopra 1000 Ω·cm) con un dielettrico SiO termico da 300 nm₂. Il chip misura 0,50 × 0,50 × 0,15 mm con metallizzazione superiore in oro minima di 2,5 µm e oro posteriore minima di 1,0 µm. È saldabile a filo e compatibile con l'attacco eutettico del die. Il componente è un condensatore MOS a singolo strato a livello di die (un condensatore saldabile a filo) per assemblaggi ibridi e chip-and-wire, noto anche come chip condensatore a singolo strato (SLC).

Caratteristiche principali

• Smorzamento della dispersione di frequenza: variazione della capacità entro ±1% da 100 Hz a 40 GHz.
• Risposta dielettrica senza dispersione da DC alla banda Ku/Ka.
• 150 pF ±10% (disponibile 5%) a 30 V DC senza de-rating di tensione DC.
• Q > 2000 a 1 MHz; basso fattore di dissipazione su tutta la banda.
• ESL intrinseca inferiore a 0,05 nH con auto-risonanza superiore a 1,5 GHz.
• TiW-Au superiore e TiW-Pt-Au posteriore per attacco a filo e eutettico del die.
• Valori di capacità personalizzati disponibili sulla stessa piattaforma da 0,50 mm.

Specifiche elettriche (T = 25°C se non diversamente indicato)

Applicazioni tipiche

• Catene di segnale RF a banda ultra-larga e blocco DC a banda larga
• Moduli a microonde banda Ku/Ka e convertitori up/down
• Reti di adattamento di impedenza a banda larga e bypass
• Front-end radio millimetrici 5G
• Strumentazione di test e misurazione a banda larga