ব্রডব্যান্ড এমওএস ক্যাপাসিটর HACC105S30V150 150pF 30V ফ্রিকোয়েন্সি ডিসপারশন ড্যাম্পিং কু কা ব্যান্ডের জন্য

ব্রডব্যান্ড এমওএস ক্যাপাসিটর HACC105S30V150 150pF 30V

সংক্ষিপ্তসার:HACC105S30V150 একটি 150 pF ±10%, 30 V DC একক স্তর MOS (ধাতু-অক্সাইড-অর্ধপরিবাহী) ক্যাপাসিটর যা ডিম্পেড ফ্রিকোয়েন্সি ডিসপারেশন এবং DC থেকে Ka ব্যান্ডে একটি সমতল ডাইলেক্ট্রিক প্রতিক্রিয়া সহ।এটি আল্ট্রা-ওয়াইডব্যান্ড আরএফ সিগন্যাল চেইনের জন্য ডিজাইন করা হয়েছে যার জন্য একটি ক্যাপাসিটেন্স মান প্রয়োজন যা ফ্রিকোয়েন্সির সাথে পরিবর্তিত হয় না.

সংক্ষিপ্ত বিবরণ

HACC105S30V150 একটি একক স্তর MOS কাঠামো একটি ভাসমান-জোন সিলিকন স্তর (উপরে 1000 Ω·cm) সঙ্গে ব্যবহার করে 300 nm তাপীয় SiO₂এই চিপটি 0.50 × 0.50 × 0.15 মিমি পরিমাপ করে এবং 2.5 μm স্বর্ণের শীর্ষ ধাতবীকরণ এবং 1.0 μm স্বর্ণের সর্বনিম্ন পিছনের অংশে রয়েছে। এটি তারের বন্ডযোগ্য এবং ইউটেটিক ডাই সংযুক্তের সাথে সামঞ্জস্যপূর্ণ।অংশটি হ'ল হাইব্রিড এবং চিপ-এন্ড-ওয়্যার সমাবেশের জন্য একটি ডাই-লেভেল একক স্তরের এমওএস ক্যাপাসিটার (একটি তারের বন্ডযোগ্য ক্যাপাসিটার), যাকে একক স্তরীয় ক্যাপাসিটর (এসএলসি) চিপও বলা হয়।

মূল বৈশিষ্ট্য

• ফ্রিকোয়েন্সি ডিসপারেশন ডিম্পিংঃ ক্যাপাসিটেন্সের পরিবর্তন ± 1% এর মধ্যে 100 Hz থেকে 40 GHz পর্যন্ত।
• ডিসি থেকে কু/কা ব্যান্ডে বিচ্ছিন্নতা মুক্ত ডাইলেক্ট্রিক প্রতিক্রিয়া।
• 150 পিএফ ± 10% (5% উপলব্ধ) 30 ভি ডিসিতে ডিসি বিভাজন হ্রাস ছাড়াই।
• Q > 2000 1 MHz এ; ব্যান্ড জুড়ে কম অপচয় ফ্যাক্টর।
• ১.১.৫ গিগাহার্টজ থেকে বেশি স্ব-প্রতিধ্বনির সাথে ০.০৫ এনএইচ এর নিচে অন্তর্নিহিত ইএসএল।
• টায়ার বন্ড এবং ইউটেটিক ডাই সংযুক্তির জন্য টিআইডব্লিউ-আউ শীর্ষ এবং টিআইডব্লিউ-পিটি-আউ পিছনের অংশ।
• একই 0.50 মিমি প্ল্যাটফর্মে উপলব্ধ কাস্টম ক্যাপাসিট্যান্স মান।

বৈদ্যুতিক স্পেসিফিকেশন (T = 25°C যদি উল্লেখ না করা হয়)

সাধারণ অ্যাপ্লিকেশন

• আল্ট্রা-ব্রডব্যান্ড আরএফ সিগন্যাল চেইন এবং ব্রডব্যান্ড ডিসি ব্লকিং
• Ku/Ka ব্যান্ড মাইক্রোওয়েভ মডিউল এবং আপ/ডাউন কনভার্টার
• ব্রডব্যান্ড ইম্পেড্যান্স মেলে এবং বাইপাস নেটওয়ার্ক
• 5 জি মিলিমিটার তরঙ্গ রেডিও ফ্রন্ট এন্ড
• ব্রডব্যান্ড টেস্ট এবং পরিমাপ যন্ত্রপাতি