| Nazwa marki: | Hoan |
| Numer modelu: | HACC105S30V150 |
| MOQ: | 10 sztuk |
| Warunki płatności: | L/C, D/A, D/P, T/T |
Podsumowanie: HACC105S30V150 to jednowarstwowy kondensator MOS (metal-tlenek-półprzewodnik) o pojemności 150 pF ±10% i napięciu 30 V DC, z tłumieniem dyspersji częstotliwości i płaską charakterystyką dielektryczną od DC do pasma Ka. Jest przeznaczony do ultraszerokopasmowych łańcuchów sygnałowych RF, które wymagają wartości pojemności, która nie zmienia się wraz z częstotliwością.
HACC105S30V150 wykorzystuje jednowarstwową strukturę MOS na podłożu krzemowym typu float-zone (powyżej 1000 Ω·cm) z dielektrykiem termicznym SiO o grubości 300 nm2. Chip ma wymiary 0,50 × 0,50 × 0,15 mm z minimalną metalizacją złotą na górze 2,5 µm i minimalnym złotem na spodzie 1,0 µm. Nadaje się do spawania drutem i jest kompatybilny z lutowaniem eutektycznym. Produkt jest jednowarstwowym kondensatorem MOS na poziomie chipa (kondensator nadający się do spawania drutem) do zastosowań hybrydowych i montażu chip-and-wire, znanym również jako chip kondensatora jednowarstwowego (SLC).
| Parametr | Wartość | Warunki testowe |
|---|---|---|
| Pojemność | 150 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Opcje tolerancji pojemności | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| Dyspersja pojemności | W granicach ±1% | 100 Hz do 40 GHz, 25°C |
| Znamionowe napięcie DC | 30 V | Ciągła praca |
| Wytrzymałość dielektryczna | Powyżej 100 V DC | 1 minuta, 25°C |
| Wewnętrzne ESL chipa | Poniżej 0,05 nH | Wyodrębnione z parametrów S |
| Częstotliwość samooscylacji | Powyżej 1,5 GHz | Typowa, drut łączący 0,5 mm |
| Współczynnik Q przy 1 MHz | >2000 | Typowy |
| Prąd upływu | Poniżej 10 nA | 30 V DC, 25°C |
| Dielektryk | Termiczny SiO2, 300 nm | Utlenianie na sucho |
| Podłoże | Krzem typu float-zone, powyżej 1000 Ω·cm | Wysokorezystywny |
| Wymiary chipa | 0,50 × 0,50 × 0,15 mm | ±0,025 mm |
| Temperatura pracy | -55°C do +125°C | — |
![]()