szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Kondensatory szerokopasmowe MOS HACC105S30V150 150pF 30V Damping dyspersji częstotliwości dla pasma Ku Ka

Kondensatory szerokopasmowe MOS HACC105S30V150 150pF 30V Damping dyspersji częstotliwości dla pasma Ku Ka

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC105S30V150
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: L/C, D/A, D/P, T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Najlepsza metalizacja:
Au, 2,5 um min
Metalizacja z tyłu:
Au, 1,0 um min
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
RoHS:
Zgodny z UE 2015/863
Klasa ESD:
Klasa 0 (HBM)
Typ mocowania:
Mocowanie drutu / matrycy eutektycznej
Podkreślić:

Kondensator szerokopasmowy MOS 150pF 30V

,

Kondensator MOS Ku Ka Band

,

Kondensator tłumiący rozpraszanie częstotliwości

Opis produktu

Kondensator MOS szerokopasmowy HACC105S30V150 150pF 30V


Podsumowanie: HACC105S30V150 to jednowarstwowy kondensator MOS (metal-tlenek-półprzewodnik) o pojemności 150 pF ±10% i napięciu 30 V DC, z tłumieniem dyspersji częstotliwości i płaską charakterystyką dielektryczną od DC do pasma Ka. Jest przeznaczony do ultraszerokopasmowych łańcuchów sygnałowych RF, które wymagają wartości pojemności, która nie zmienia się wraz z częstotliwością.


Przegląd


HACC105S30V150 wykorzystuje jednowarstwową strukturę MOS na podłożu krzemowym typu float-zone (powyżej 1000 Ω·cm) z dielektrykiem termicznym SiO o grubości 300 nm2. Chip ma wymiary 0,50 × 0,50 × 0,15 mm z minimalną metalizacją złotą na górze 2,5 µm i minimalnym złotem na spodzie 1,0 µm. Nadaje się do spawania drutem i jest kompatybilny z lutowaniem eutektycznym. Produkt jest jednowarstwowym kondensatorem MOS na poziomie chipa (kondensator nadający się do spawania drutem) do zastosowań hybrydowych i montażu chip-and-wire, znanym również jako chip kondensatora jednowarstwowego (SLC).


Kluczowe cechy


  • Tłumienie dyspersji częstotliwości: wahanie pojemności w granicach ±1% od 100 Hz do 40 GHz.
  • Charakterystyka dielektryczna bez dyspersji od DC do pasma Ku/Ka.
  • 150 pF ±10% (dostępne 5%) przy 30 V DC bez obniżania napięcia DC.
  • Q > 2000 przy 1 MHz; niski współczynnik strat w całym paśmie.
  • Wewnętrzne ESL poniżej 0,05 nH z częstotliwością samooscylacji powyżej 1,5 GHz.
  • TiW-Au na górze i TiW-Pt-Au na spodzie do spawania drutem i lutowania eutektycznego.
  • Dostępne niestandardowe wartości pojemności na tej samej platformie 0,50 mm.


Specyfikacje elektryczne (T = 25°C, chyba że zaznaczono inaczej)


Parametr Wartość Warunki testowe
Pojemność 150 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Opcje tolerancji pojemności ±10% (K), ±5% (J) —
Dyspersja pojemności W granicach ±1% 100 Hz do 40 GHz, 25°C
Znamionowe napięcie DC 30 V Ciągła praca
Wytrzymałość dielektryczna Powyżej 100 V DC 1 minuta, 25°C
Wewnętrzne ESL chipa Poniżej 0,05 nH Wyodrębnione z parametrów S
Częstotliwość samooscylacji Powyżej 1,5 GHz Typowa, drut łączący 0,5 mm
Współczynnik Q przy 1 MHz >2000 Typowy
Prąd upływu Poniżej 10 nA 30 V DC, 25°C
Dielektryk Termiczny SiO2, 300 nm Utlenianie na sucho
Podłoże Krzem typu float-zone, powyżej 1000 Ω·cm Wysokorezystywny
Wymiary chipa 0,50 × 0,50 × 0,15 mm ±0,025 mm
Temperatura pracy -55°C do +125°C —


Typowe zastosowania


  • Ultraszerokopasmowe łańcuchy sygnałowe RF i szerokopasmowe blokowanie DC
  • Moduły mikrofalowe pasma Ku/Ka i konwertery w górę/w dół
  • Szerokopasmowe dopasowanie impedancji i sieci odsprzęgające
  • Front-endy fal milimetrowych 5G
  • Szerokopasmowa aparatura pomiarowa i testowa


Kondensatory szerokopasmowe MOS HACC105S30V150 150pF 30V Damping dyspersji częstotliwości dla pasma Ku Ka