خفیف فرکانس پراکندگی فرکانس 30 ولت برای باند کو کا

خازن MOS پهنای باند HACC105S30V150 150pF 30V

خلاصه: HACC105S30V150 یک خازن MOS تک لایه با ظرفیت 150 پیکوفاراد ±10% و ولتاژ 30 ولت DC است که دارای پراکندگی فرکانسی میرا شده و پاسخ دی الکتریک مسطح از DC تا باند Ka است. این خازن برای زنجیره‌های سیگنال RF فوق پهن باند که به مقدار ظرفیت خازنی نیاز دارند که با فرکانس تغییر نمی‌کند، در نظر گرفته شده است.

مرور کلی

HACC105S30V150 از ساختار MOS تک لایه بر روی زیرلایه سیلیکونی شناور (بالاتر از 1000 اهم بر سانتی‌متر) با دی‌الکتریک SiO حرارتی 300 نانومتری استفاده می‌کند.₂ ابعاد تراشه 0.50 × 0.50 × 0.15 میلی‌متر با حداقل فلزکاری طلای رویی 2.5 میکرومتر و حداقل طلای پشتی 1.0 میکرومتر است. این تراشه قابل سیم‌بندی است و با اتصال یوتکتیک سازگار است. این قطعه یک خازن MOS تک لایه در سطح تراشه (یک خازن قابل سیم‌بندی) برای مونتاژهای هیبریدی و تراشه و سیم است که به عنوان تراشه خازن تک لایه (SLC) نیز شناخته می‌شود.

ویژگی‌های کلیدی

• میرایی پراکندگی فرکانس: تغییر ظرفیت خازنی در حدود ±1% از 100 هرتز تا 40 گیگاهرتز.
• پاسخ دی الکتریک بدون پراکندگی از DC تا باند Ku/Ka.
• 150 پیکوفاراد ±10% (5% موجود) در 30 ولت DC بدون کاهش ولتاژ DC.
• Q > 2000 در 1 مگاهرتز؛ ضریب اتلاف کم در سراسر باند.
• ESL ذاتی کمتر از 0.05 نانو هانری با تشدید خودکار بالاتر از 1.5 گیگاهرتز.
• TiW-Au رویی و TiW-Pt-Au پشتی برای سیم‌بندی و اتصال یوتکتیک.
• مقادیر ظرفیت خازنی سفارشی در همان پلتفرم 0.50 میلی‌متری موجود است.

مشخصات الکتریکی (مگر اینکه خلاف آن ذکر شده باشد، T = 25 درجه سانتی‌گراد)

کاربردهای معمول

• زنجیره‌های سیگنال RF فوق پهن باند و مسدود کردن DC پهن باند
• ماژول‌های مایکروویو باند Ku/Ka و مبدل‌های بالا/پایین
• شبکه‌های تطبیق امپدانس پهن باند و بای‌پس
• جلوی رادیو موج میلی‌متری 5G
• تجهیزات اندازه‌گیری و تست پهن باند