HongAn Microwave Co., Ltd.
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
polski
فارسی
বাংলা
ไทย
tiếng Việt
العربية
हिन्दी
Türkçe
indonesia
|
| اسم العلامة التجارية: | Hoan |
| رقم الموديل: | HACC105S30V150 |
| موك: | 10 قطع |
| شروط الدفع: | خطاب الاعتماد، D/A، D/P، T/T |
ملخص:HACC105S30V150 هو مكثف MOS (أكسيد المعادن-أو نصف الموصلات) ذو طبقة واحدة 150 pF ± 10٪ ، 30 V DC مع تشتت تردد مدمجة ورد الدليكتركي المسطح من DC إلى النطاق Ka.وهي مخصصة لسلسلة إشارات RF فائقة النطاق العريض التي تتطلب قيمة سعة لا تتغير مع التردد.
يستخدم HACC105S30V150 بنية MOS ذات طبقة واحدة على رصيف السيليكون في المنطقة العائمة (فوق 1000 Ω · cm) مع SiO حرارية 300 nm2الديالكترونية. قياسات الشريحة 0.50 × 0.50 × 0.15 مم مع 2.5 ميكروميتر الحد الأدنى للذهب فوق المعدن و 1.0 ميكروميتر الحد الأدنى للذهب الخلفي. هي سلكية قابلة للترابط وتتوافق مع الارتباط المقطوع.الجزء هو مكثف MOS من طبقة واحدة (مكثف قابل لربط الأسلاك) لمجموعات الهجينة والشريحة والأسلاك، يشار إليها أيضًا باسم رقاقة مكثف طبقة واحدة (SLC).
| المعلم | القيمة | حالة الاختبار |
|---|---|---|
| السعة | 150 pF ± 10% | 1 ميغاهرتز، 1.0 Vrms |
| خيارات التسامح بين السعة | ± 10% (K) ، ± 5% (J) | |
| تشتت السعة | ضمن ± 1% | 100 هرتز إلى 40 غيغاهرتز، 25 درجة مئوية |
| الجهد المشترك المسموح به | 30 فولت | التشغيل المستمر |
| قوة الكهرباء المضادة | فوق 100 فولت DC | دقيقة واحدة، 25 درجة مئوية |
| الشريحة الداخلية ESL | أقل من 0.05 nH | غير مضمنة من معايير S |
| تردد الرنين الذاتي | أعلى من 1.5 غيغاهرتز | سلك قياسي من 0.5 ملم |
| عامل Q عند 1 ميگاهرتز | >2000 | نموذجي |
| تيار التسرب | أقل من 10 nA | 30 فولت DC، 25 درجة مئوية |
| الديليكتريك | الـ SiO الحراري2, 300 نلم | الأكسدة الجافة |
| القالب | المنطقة العائمة Si، فوق 1000 Ω·cm | مقاومة عالية |
| أبعاد الشريحة | 0.50 × 0.50 × 0.15 ملم | ±0.025 ملم |
| درجة حرارة العمل | -55°C إلى +125°C | |
