Geniş bantlı MOS Kondensatörleri HACC105S30V150 150pF 30V Ku Ka Band için Frekans Dağınıklığı Damping

Geniş bantlı MOS Kondensatörü HACC105S30V150 150pF 30V

Özet:HACC105S30V150, 150 pF ± 10%, 30 V DC tek katmanlı MOS (metal oksit-yarı iletken) kondansatörüdür ve sıklık dağılımı ve DC'den Ka bandına düz bir dielektrik tepkisine sahiptir.Frekansla değişmeyen kapasitans değeri gerektiren ultra geniş bantlı RF sinyal zincirleri için tasarlanmıştır..

Genel bakış

HACC105S30V150, yüzme bölgesi silikon substratında (1000 Ω·cm'den fazla) 300 nm termal SiO ile tek katmanlı bir MOS yapısı kullanır₂Dielektrik. Çip 0.50 × 0.50 × 0.15 mm, 2.5 μm minimum altın üst metalizasyonu ve 1.0 μm minimum arka altını ölçer. Tel bağlanabilir ve eutetik ölçekleme takımı ile uyumludur.Parça, hibrit ve çip ve tel montajları için bir ölçekli tek katmanlı MOS kondansatörüdür (silim bağlanabilir kondansatör)Tek katmanlı kondansatör (SLC) çip olarak da adlandırılır.

Temel Özellikler

• Frekans dağılımı amortizasyonu: 100 Hz'den 40 GHz'e kadar kapasitans değişimi ±1% arasında.
• DC'den Ku/Ka bandına dağılımsız dielektrik tepki.
• 150 pF ± 10% (% 5 kullanılabilir) 30 V DC'de DC yanılımı değerlendirme olmadan.
• Q > 2000 1 MHz'de; bant boyunca düşük dağılma faktörü.
• Kendiliğinden ESL 0,05 nH'nin altında ve kendi kendine rezonans 1,5 GHz'in üzerinde.
• TiW-Au üstü ve TiW-Pt-Au arka tarafı tel bağlama ve eutetik ölçekleme için.
• Aynı 0,50 mm platformda mevcut özel kapasitans değerleri.

Elektriksel özellikler (T = 25°C, belirtilmediği sürece)

Tipik Uygulamalar

• Ultra geniş bant RF sinyal zincirleri ve geniş bant DC engelleme
• Ku/Ka bantlı mikrodalga modülleri ve yukarı/aşağı dönüştürücüler
• Geniş bant impedans eşleştirme ve atlama ağları
• 5G milimetre dalga radyo ön uçları
• Geniş bantlı test ve ölçüm cihazları