λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

Ευρυζωνικοί συμπιεστές MOS HACC105S30V150 150pF 30V Αμβλυντική διάσπαση συχνότητας για την ζώνη Ku Ka

Ευρυζωνικοί συμπιεστές MOS HACC105S30V150 150pF 30V Αμβλυντική διάσπαση συχνότητας για την ζώνη Ku Ka

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC105S30V150
MOQ: 10 τεμάχια
Όροι πληρωμής: L/C,D/A,D/P,T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS
Κορυφαία Μεταλλοποίηση:
Au, 2,5 μμ min
Μεταλλοποίηση πίσω πλευράς:
Au, 1,0 μμ min
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55°C έως +125°C
RoHS:
Συμβατό με την ΕΕ 2015/863
Κατηγορία ESD:
Κατηγορία 0 (HBM)
Τύπος τοποθέτησης:
Συνδέσιμο με σύρμα / Ευτηκτική μήτρα
Επισημαίνω:

Ευρυζωνικός πυκνωτής MOS 150pF 30V

,

Δυνατήρας MOS Ku Ka Band

,

Συμπιεστής αποσβεστικής διάσπασης συχνότητας

Περιγραφή προϊόντων

Πυκνογραμμικός Πυκνωτής MOS HACC105S30V150 150pF 30V


Σύνοψη: Ο HACC105S30V150 είναι ένας μονοστρωματικός πυκνωτής MOS (μεταλλικού-οξειδίου-ημιαγωγού) 150 pF ±10%, 30 V DC με απόσβεση διασποράς συχνότητας και επίπεδη διηλεκτρική απόκριση από DC έως τη ζώνη Ka. Προορίζεται για αλυσίδες σήματος RF υπερ-ευρείας ζώνης που απαιτούν τιμή χωρητικότητας που δεν μεταβάλλεται με τη συχνότητα.


Επισκόπηση


Ο HACC105S30V150 χρησιμοποιεί μονοστρωματική δομή MOS σε υπόστρωμα πυριτίου ζώνης ελεύθερης ζώνης (πάνω από 1000 Ω·cm) με θερμικό SiO 300 nm2 διηλεκτρικό. Το τσιπ έχει διαστάσεις 0,50 × 0,50 × 0,15 mm με ελάχιστη επιμετάλλωση χρυσού στην κορυφή 2,5 μm και ελάχιστο χρυσό στην πίσω πλευρά 1,0 μm. Είναι συμβατό με συγκόλληση με σύρμα και συγκόλληση με ευτηκτικό υλικό. Το εξάρτημα είναι μονοστρωματικός πυκνωτής MOS σε επίπεδο τσιπ (πυκνωτής συμβατός με συγκόλληση με σύρμα) για υβριδικές συναρμολογήσεις και συναρμολογήσεις τσιπ-και-σύρματος, που αναφέρεται επίσης ως τσιπ μονοστρωματικού πυκνωτή (SLC).


Βασικά Χαρακτηριστικά


  • Απόσβεση διασποράς συχνότητας: μεταβολή χωρητικότητας εντός ±1% από 100 Hz έως 40 GHz.
  • Απόκριση διηλεκτρικού χωρίς διασπορά από DC έως τη ζώνη Ku/Ka.
  • 150 pF ±10% (διαθέσιμο 5%) στα 30 V DC χωρίς μείωση τάσης DC.
  • Q > 2000 στα 1 MHz· χαμηλός συντελεστής απωλειών σε όλη τη ζώνη.
  • Εγγενές ESL κάτω από 0,05 nH με αυτοσυντονισμό πάνω από 1,5 GHz.
  • TiW-Au στην κορυφή και TiW-Pt-Au στην πίσω πλευρά για συγκόλληση με σύρμα και ευτηκτική συγκόλληση τσιπ.
  • Διαθέσιμες προσαρμοσμένες τιμές χωρητικότητας στην ίδια πλατφόρμα 0,50 mm.


Ηλεκτρικές Προδιαγραφές (T = 25°C εκτός αν σημειώνεται)


Παράμετρος Τιμή Συνθήκη Δοκιμής
Χωρητικότητα 150 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Επιλογές Ανοχής Χωρητικότητας ±10% (K), ±5% (J) —
Διασπορά Χωρητικότητας Εντός ±1% 100 Hz έως 40 GHz, 25°C
Ονομαστική Τάση DC 30 V Συνεχής λειτουργία
Διηλεκτρική Αντοχή Πάνω από 100 V DC 1 λεπτό, 25°C
Εγγενές ESL Τσιπ Κάτω από 0,05 nH Αποσυνδεδεμένο από S-παραμέτρους
Αυτοσυντονιζόμενη Συχνότητα Πάνω από 1,5 GHz Τυπικό, σύρμα σύνδεσης 0,5 mm
Συντελεστής Q στα 1 MHz >2000 Τυπικό
Ρεύμα Διαρροής Κάτω από 10 nA 30 V DC, 25°C
Διηλεκτρικό Θερμικό SiO2, 300 nm Ξηρή οξείδωση
Υπόστρωμα Si ζώνης ελεύθερης ζώνης, πάνω από 1000 Ω·cm Υψηλής αντίστασης
Διαστάσεις Τσιπ 0,50 × 0,50 × 0,15 mm ±0,025 mm
Θερμοκρασία Λειτουργίας -55°C έως +125°C —


Τυπικές Εφαρμογές


  • Αλυσίδες σήματος RF υπερ-ευρείας ζώνης και μπλοκάρισμα DC ευρείας ζώνης
  • Μονάδες μικροκυμάτων ζώνης Ku/Ka και μετατροπείς πάνω/κάτω
  • Δίκτυα αντιστοίχισης σύνθετης αντίστασης ευρείας ζώνης και παράκαμψης
  • Μπροστινά άκρα ραδιοφώνου χιλιοστομετρικών κυμάτων 5G
  • Όργανα μέτρησης και δοκιμών ευρείας ζώνης


Ευρυζωνικοί συμπιεστές MOS HACC105S30V150 150pF 30V Αμβλυντική διάσπαση συχνότητας για την ζώνη Ku Ka