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Capacitores MOS de Banda Larga HACC105S30V150 150pF 30V Amortecimento de Dispersão de Frequência para Banda Ku Ka

Name: Capacitores MOS de Banda Larga HACC105S30V150 150pF 30V Amortecimento de Dispersão de Frequência para Banda Ku Ka
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC105S30V150
Price: Negociável USD
Availability: InStock

Marca:	Hoan
Número do modelo:	HACC105S30V150
Quantidade mínima:	10 peças
Condições de pagamento:	L/C,D/A,D/P,T/T

Informações pormenorizadas

Descrição do produto

Informações pormenorizadas

Lugar de origem:

Shanxi, China

Certificação:

ISO 9001:2015, RoHS

Metalização Superior:

Au, 2,5 um min

Metalização traseira:

Au, 1,0 um min

Temperatura operacional:

-55°C a +125°C

RoHS:

Compatível com UE 2015/863

Classe ESD:

Classe 0 (HBM)

Tipo de montagem:

Fixação de matriz eutética/fio ligável

Destacar:

Capacitor MOS de banda larga 150pF 30V

MOS condensador Ku Ka Band

Capacitor de amortecimento de dispersão de frequência

Descrição do produto

MOS Capacitor HACC105S30V150 150pF 30V

Resumo:O HACC105S30V150 é um capacitor MOS (metal-oxido-semicondutor) de 30 V DC de 150 pF ± 10%, com dispersão de frequência amortecida e uma resposta dielétrica plana de DC para a banda Ka.É destinado para ultra-wideband RF chains de sinal que requerem um valor de capacitância que não muda com a frequência.

Resumo

O HACC105S30V150 usa uma estrutura MOS de camada única em um substrato de silício de zona flutuante (acima de 1000 Ω·cm) com um SiO térmico de 300 nm₂O chip mede 0.50 × 0.50 × 0.15 mm com 2.5 μm de metallização mínima de ouro superior e 1.0 μm de ouro de backside mínimo.A parte é um condensador MOS single-layer de nível de morte (um condensador bondável por fio) para assembleias híbridas e chip-and-wire., também referido como um chip de capacitor de camada única (SLC).

Características fundamentais

Frequency dispersion damping: capacitance variation within ±1% from 100 Hz to 40 GHz (damping de dispersão de frequência: variação de capacitância dentro de ± 1% de 100 Hz a 40 GHz).
Resposta dielétrica livre de dispersão de DC para a banda Ku/Ka.
150 pF ± 10% (5% disponível) a 30 V DC com nenhum bias derating.
Q > 2000 a 1 MHz; baixo fator de dissipação através da banda.
ESL intrínseco abaixo de 0,05 nH com auto-resonância acima de 1,5 GHz.
TiW-Au top and TiW-Pt-Au backside for wire bond and eutectic die attach. TiW-Au top e TiW-Pt-Au backside for wire bond and eutectic die attach.
Valores de capacitância personalizados disponíveis na mesma plataforma de 0,50 mm.

Especificações elétricas (T = 25°C, salvo indicação)

Parâmetro	Valor	Condição de ensaio
Capacidade	150 pF ± 10%	1 MHz, 1,0 Vrms
Opções de tolerância	±10% (K), ±5% (J)	- Não.
Dispersão de capacidade.	Dentro de ± 1%	100 Hz a 40 GHz, 25°C.
Tensão nominal de CC	30 V	Função contínua
Força dielétrica	acima de 100 V DC	1 minuto, 25°C
Chip intrínseco ESL	Below 0.05 nH	Desintegrado dos parâmetros S
Frequência auto-resonante	acima de 1,5 GHz	Tipo, 0.5 mm de fio de ligação.
Q Factor a 1 MHz.	> 2000	Tipico
Corrente de vazamento	Below 10 na.	30 V DC, 25°C.
Dieléctricos	SiO térmico₂300 nm.	Oxidação seca.
Substrato	Float-zone Si, above 1000 Ω·cm	Alta resistividade
Dimensões do chip	00,50 × 0,50 × 0,15 mm	± 0,025 mm
Temperatura de funcionamento	-55°C a +125°C	- Não.

Aplicações típicas

Ultra-wideband RF signal chains e broadband DC blocking
Módulos de microondas Ku/Ka e conversores para cima/abaixo.
Redes de correspondência de impedância de banda larga e de bypass
5G front-ends de rádio de onda milimétrica
Instrumentação de teste e medição de banda larga

Capacitores MOS de Banda Larga HACC105S30V150 150pF 30V Amortecimento de Dispersão de Frequência para Banda Ku Ka

Etiquetas:

Indutor Cônico

Indutores de banda larga

Indutor do núcleo do ar

Indutor de bobina de ar

Capacitores MOS