Kapasitor MOS broadband HACC105S30V150 150pF 30V Damping Dispersi Frekuensi untuk Ku Ka Band

Kapasitor MOS broadband HACC105S30V150 150pF 30V

Ringkasan:HACC105S30V150 adalah kapasitor MOS (metal-oxide-semikonduktor) satu lapis 150 pF ± 10%, 30 V DC dengan dispersi frekuensi yang dimatikan dan respon dielektrik datar dari DC ke pita Ka.Hal ini dimaksudkan untuk rantai sinyal RF ultra-wideband yang membutuhkan nilai kapasitansi yang tidak berubah dengan frekuensi.

Gambaran umum

HACC105S30V150 menggunakan struktur MOS satu lapisan pada substrat silikon zona terapung (lebih dari 1000 Ω·cm) dengan SiO termal 300 nm₂Chip berukuran 0,50 × 0,50 × 0,15 mm dengan 2,5 μm minimum emas atas metalisasi dan 1,0 μm minimum emas belakang.Bagian ini adalah kondensator MOS satu lapisan tingkat mati (kondensator yang dapat diikat kawat) untuk perakitan hibrida dan chip-and-wire, juga disebut sebagai chip kondensator satu lapisan (SLC).

Fitur Utama

• Damping dispersi frekuensi: variasi kapasitansi dalam ± 1% dari 100 Hz hingga 40 GHz.
• Respon dielektrik bebas dispersi dari DC ke pita Ku/Ka.
• 150 pF ± 10% (5% tersedia) pada 30 V DC tanpa derating bias DC.
• Q > 2000 pada 1 MHz; faktor disipasi rendah di seluruh pita.
• ESL intrinsik di bawah 0,05 nH dengan resonansi diri di atas 1,5 GHz.
• Bagian atas TiW-Au dan bagian belakang TiW-Pt-Au untuk ikatan kawat dan perekat mati eutektis.
• Nilai kapasitansi khusus tersedia pada platform 0,50 mm yang sama.

Spesifikasi listrik (T = 25°C kecuali dinyatakan)

Aplikasi Tipikal

• Rantai sinyal RF ultra-wideband dan pemblokiran DC broadband
• Modul gelombang mikro pita Ku/Ka dan konverter up/down
• Jaringan pencocokan impedansi broadband dan bypass
• 5G ujung depan gelombang milimeter radio
• Instrumen pengujian dan pengukuran pita lebar