?

Конденсатор MOS широкополосный HACC105S30V150 150пФ 30В

Резюме: HACC105S30V150 — это однослойный МОП-конденсатор (металл-оксид-полупроводник) емкостью 150 пФ ±10% на напряжение 30 В постоянного тока с демпфированной частотной дисперсией и плоской диэлектрической характеристикой от постоянного тока до диапазона Ka. Он предназначен для сверхширокополосных ВЧ-трактов, требующих значения емкости, которое не меняется с частотой.

Обзор

HACC105S30V150 использует однослойную МОП-структуру на подложке из кремния с зонной плавкой (выше 1000 Ом·см) с термическим диэлектриком SiO₂ толщиной 300 нм. Размер кристалла составляет 0,50 × 0,50 × 0,15 мм с минимальной золотой металлизацией сверху 2,5 мкм и минимальным золотым покрытием с обратной стороны 1,0 мкм. Он подходит для проволочной разварки и совместим с эвтектическим креплением кристалла. Изделие представляет собой однослойный МОП-конденсатор на уровне кристалла (конденсатор, пригодный для проволочной разварки) для гибридных сборок и сборок с использованием чипов и проволоки, также известный как кристалл однослойного конденсатора (SLC)._{Кремний с зонной плавкой, выше 1000 Ом·см}Демпфирование частотной дисперсии: изменение емкости в пределах ±1% от 100 Гц до 40 ГГц.

Свободная от дисперсии диэлектрическая характеристика от постоянного тока до диапазона Ku/Ka.

• 150 пФ ±10% (доступно 5%) при 30 В постоянного тока без снижения номинальных характеристик при постоянном напряжении.
• Q > 2000 при 1 МГц; низкий коэффициент потерь во всем диапазоне.
• Собственная индуктивность ESL ниже 0,05 нГн с собственной резонансной частотой выше 1,5 ГГц.
• TiW-Au сверху и TiW-Pt-Au снизу для проволочной разварки и эвтектического крепления кристалла.
• Доступны пользовательские значения емкости на той же платформе 0,50 мм.
• Электрические характеристики (T = 25°C, если не указано иное)
• Параметр

Значение

Фронт-энды радиостанций 5G миллиметрового диапазона

• Широкополосные измерительные приборы