Breitband-MOS-Kondensatoren HACC105S30V150 150pF 30V Frequenzdispersionsdämpfung für den Ku-Ka-Band

Breitband-MOS-Kondensator HACC105S30V150 150pF 30V

Zusammenfassung:Der HACC105S30V150 ist ein einlagiger MOS-Kondensator (Metall-Oxid-Halbleiter) mit 150 pF ±10% und 30 V DC, der eine gedämpfte Frequenzdispersion und eine flache dielektrische Antwort von DC bis zum Ka-Band aufweist. Er ist für Ultra-Breitband-HF-Signalketten bestimmt, die einen Kapazitätswert benötigen, der sich nicht mit der Frequenz ändert.

Übersicht

Der HACC105S30V150 verwendet eine einlagige MOS-Struktur auf einem Float-Zone-Siliziumsubstrat (über 1000 Ω·cm) mit einem 300 nm dicken thermischen SiO₂Dielektrikum. Der Chip misst 0,50 × 0,50 × 0,15 mm mit einer minimalen Gold-Top-Metallisierung von 2,5 µm und einer minimalen Rückseiten-Goldbeschichtung von 1,0 µm. Er ist drahtbondfähig und mit eutektischer Die-Attach-Technologie kompatibel. Das Bauteil ist ein einlagiger MOS-Kondensator auf Die-Ebene (ein drahtbondfähiger Kondensator) für Hybrid- und Chip-and-Wire-Baugruppen, auch als einlagiger Kondensator (SLC) Chip bezeichnet.

Hauptmerkmale

• Frequenzdispersionsdämpfung: Kapazitätsvariation innerhalb von ±1% von 100 Hz bis 40 GHz.
• Dispersionsfreie dielektrische Antwort von DC bis zum Ku/Ka-Band.
• 150 pF ±10% (5% verfügbar) bei 30 V DC ohne DC-Bias-Derating.
• Q > 2000 bei 1 MHz; niedriger Verlustfaktor über das gesamte Band.
• Intrinsische ESL unter 0,05 nH mit Selbstresonanz über 1,5 GHz.
• TiW-Au-Oberseite und TiW-Pt-Au-Rückseite für Drahtbond- und eutektische Die-Attach-Technologie.
• Kundenspezifische Kapazitätswerte auf derselben 0,50-mm-Plattform verfügbar.

Elektrische Spezifikationen (T = 25°C, sofern nicht anders angegeben)

Typische Anwendungen

• Ultra-Breitband-HF-Signalketten und Breitband-DC-Blockierung
• Ku/Ka-Band-Mikrowellenmodule und Auf-/Abwärtswandler
• Breitband-Impedanzanpassung und Bypass-Netzwerke
• 5G Millimeterwellen-Funk-Frontends
• Breitband-Test- und Messtechnik