details van de producten

Created with Pixso. Huis Created with Pixso. Producten Created with Pixso.
MOS-condensatoren
Created with Pixso.

Breedband MOS Condensatoren HACC105S30V150 150pF 30V Frequentie dispersie demping voor Ku Ka Band

Breedband MOS Condensatoren HACC105S30V150 150pF 30V Frequentie dispersie demping voor Ku Ka Band

Merknaam: Hoan
Modelnummer: HACC105S30V150
MOQ: 10 stuks
Betalingsvoorwaarden: L/C, D/A, D/P, T/T
Gedetailleerde informatie
Plaats van herkomst:
Shaanxi, China
Certificering:
ISO 9001:2015, RoHS
Topmetallisatie:
Au, 2,5 um min
Metallisatie aan de achterkant:
Au, 1,0 um min
Bedrijfstemperatuur:
-55°C tot +125°C
RoHS:
Voldoet aan EU 2015/863
ESD-klasse:
Klasse 0 (HBM)
Montagetype:
Met draad te verbinden/eutectische matrijsbevestiging
Markeren:

Breedband MOS-condensator 150pF 30V

,

MOS-condensator Ku Ka Band

,

Frequentiedispersiedempingscondensator

Productomschrijving

Breedband MOS Condensator HACC105S30V150 150pF 30V


Samenvatting: De HACC105S30V150 is een 150 pF ±10%, 30 V DC enkellaagse MOS (metaal-oxide-halfgeleider) condensator met gedempte frequentiedispersie en een vlakke diëlektrische respons van DC tot de Ka-band. Het is bedoeld voor ultrabrede RF-signaalketens die een capaciteitswaarde vereisen die niet verschuift met de frequentie.


Overzicht


De HACC105S30V150 maakt gebruik van een enkellaagse MOS-structuur op een float-zone silicium substraat (boven 1000 Ω·cm) met een 300 nm thermische SiO2 diëlektricum. De chip meet 0,50 × 0,50 × 0,15 mm met een minimale gouden topmetallisatie van 2,5 µm en een minimale gouden achterkant van 1,0 µm. Het is draadlasbaar en compatibel met eutectische die attach. Het onderdeel is een enkellaagse MOS-condensator op chipniveau (een draadlasbare condensator) voor hybride en chip-and-wire assemblages, ook wel een enkellaagse condensator (SLC) chip genoemd.


Belangrijkste Kenmerken


  • Demping van frequentiedispersie: capaciteitsvariatie binnen ±1% van 100 Hz tot 40 GHz.
  • Dispersievrije diëlektrische respons van DC tot de Ku/Ka-band.
  • 150 pF ±10% (5% beschikbaar) bij 30 V DC zonder DC-bias derating.
  • Q > 2000 bij 1 MHz; lage dissipatiefactor over de band.
  • Intrinsieke ESL onder 0,05 nH met zelfresonantie boven 1,5 GHz.
  • TiW-Au top en TiW-Pt-Au achterkant voor draadlas- en eutectische die attach.
  • Aangepaste capaciteitswaarden beschikbaar op hetzelfde 0,50 mm platform.


Elektrische Specificaties (T = 25°C tenzij anders vermeld)


Parameter Waarde Testconditie
Capaciteit 150 pF ±10% 1 MHz, 1,0 Vrms
Capaciteit Tolerantie Opties ±10% (K), ±5% (J) —
Capaciteit Dispersie Binnen ±1% 100 Hz tot 40 GHz, 25°C
Nominale DC-spanning 30 V Continue werking
Diëlektrische Sterkte Boven 100 V DC 1 minuut, 25°C
Intrinsieke Chip ESL Onder 0,05 nH De-embedded uit S-parameters
Zelfresonantiefrequentie Boven 1,5 GHz Typisch, 0,5 mm bonddraad
Q Factor bij 1 MHz >2000 Typisch
Lekstroom Onder 10 nA 30 V DC, 25°C
Diëlektricum Thermische SiO2, 300 nm Droge oxidatie
Substraat Float-zone Si, boven 1000 Ω·cm Hoge weerstand
Chip Afmetingen 0,50 × 0,50 × 0,15 mm ±0,025 mm
Bedrijfstemperatuur -55°C tot +125°C —


Typische Toepassingen


  • Ultrabrede RF-signaalketens en brede DC-blokkering
  • Ku/Ka-band microgolfmodules en up/down converters
  • Brede impedantieaanpassing en bypass-netwerken
  • 5G millimetergolf radio front-ends
  • Brede test- en meetinstrumentatie


Breedband MOS Condensatoren HACC105S30V150 150pF 30V Frequentie dispersie demping voor Ku Ka Band