| Merknaam: | Hoan |
| Modelnummer: | HACC105S30V150 |
| MOQ: | 10 stuks |
| Betalingsvoorwaarden: | L/C, D/A, D/P, T/T |
Samenvatting: De HACC105S30V150 is een 150 pF ±10%, 30 V DC enkellaagse MOS (metaal-oxide-halfgeleider) condensator met gedempte frequentiedispersie en een vlakke diëlektrische respons van DC tot de Ka-band. Het is bedoeld voor ultrabrede RF-signaalketens die een capaciteitswaarde vereisen die niet verschuift met de frequentie.
De HACC105S30V150 maakt gebruik van een enkellaagse MOS-structuur op een float-zone silicium substraat (boven 1000 Ω·cm) met een 300 nm thermische SiO2 diëlektricum. De chip meet 0,50 × 0,50 × 0,15 mm met een minimale gouden topmetallisatie van 2,5 µm en een minimale gouden achterkant van 1,0 µm. Het is draadlasbaar en compatibel met eutectische die attach. Het onderdeel is een enkellaagse MOS-condensator op chipniveau (een draadlasbare condensator) voor hybride en chip-and-wire assemblages, ook wel een enkellaagse condensator (SLC) chip genoemd.
| Parameter | Waarde | Testconditie |
|---|---|---|
| Capaciteit | 150 pF ±10% | 1 MHz, 1,0 Vrms |
| Capaciteit Tolerantie Opties | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| Capaciteit Dispersie | Binnen ±1% | 100 Hz tot 40 GHz, 25°C |
| Nominale DC-spanning | 30 V | Continue werking |
| Diëlektrische Sterkte | Boven 100 V DC | 1 minuut, 25°C |
| Intrinsieke Chip ESL | Onder 0,05 nH | De-embedded uit S-parameters |
| Zelfresonantiefrequentie | Boven 1,5 GHz | Typisch, 0,5 mm bonddraad |
| Q Factor bij 1 MHz | >2000 | Typisch |
| Lekstroom | Onder 10 nA | 30 V DC, 25°C |
| Diëlektricum | Thermische SiO2, 300 nm | Droge oxidatie |
| Substraat | Float-zone Si, boven 1000 Ω·cm | Hoge weerstand |
| Chip Afmetingen | 0,50 × 0,50 × 0,15 mm | ±0,025 mm |
| Bedrijfstemperatuur | -55°C tot +125°C | — |
![]()