HongAn Microwave Co., Ltd.
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| 브랜드 이름: | Hoan |
| 모델 번호: | HACC105S30V150 |
| MOQ: | 10개 |
| 지불 조건: | L/C,D/A,D/P,T/T |
요약: HACC105S30V150은 150 pF ±10%, 30 V DC 단일층 MOS(금속-산화물-반도체) 커패시터로, 감쇠된 주파수 분산과 DC부터 Ka 대역까지 평탄한 유전체 응답을 제공합니다. 주파수에 따라 커패시턴스 값이 변하지 않는 초광대역 RF 신호 체인에 사용됩니다.
HACC105S30V150은 플로트 존 실리콘 기판(1000 Ω·cm 이상) 위에 300nm 두께의 열 산화 SiO2 유전체를 사용한 단일층 MOS 구조를 채택했습니다. 칩 크기는 0.50 × 0.50 × 0.15mm이며, 최소 2.5μm의 금 상단 금속화와 최소 1.0μm의 뒷면 금 도금이 적용되었습니다. 와이어 본딩이 가능하며 공융 다이 접착과 호환됩니다. 이 부품은 하이브리드 및 칩-앤-와이어 어셈블리에 사용되는 다이 레벨 단일층 MOS 커패시터(와이어 본딩 가능 커패시터)로, 단일층 커패시터(SLC) 칩이라고도 합니다.
| 매개변수 | 값 | 테스트 조건 |
|---|---|---|
| 커패시턴스 | 150 pF ±10% | 1 MHz, 1.0 Vrms |
| 커패시턴스 허용 오차 옵션 | ±10% (K), ±5% (J) | — |
| 커패시턴스 분산 | ±1% 이내 | 100 Hz ~ 40 GHz, 25°C |
| 정격 DC 전압 | 30 V | 연속 작동 |
| 유전체 강도 | 100 V DC 이상 | 1분, 25°C |
| 고유 칩 ESL | 0.05 nH 미만 | S-파라미터에서 디임베딩됨 |
| 자체 공진 주파수 | 1.5 GHz 이상 | 일반, 0.5 mm 본딩 와이어 |
| 1 MHz에서의 Q 계수 | >2000 | 일반 |
| 누설 전류 | 10 nA 미만 | 30 V DC, 25°C |
| 유전체 | 열 산화 SiO2, 300 nm | 건식 산화 |
| 기판 | 플로트 존 Si, 1000 Ω·cm 이상 | 고저항 |
| 칩 치수 | 0.50 × 0.50 × 0.15 mm | ±0.025 mm |
| 작동 온도 | -55°C ~ +125°C | — |
