Detalles de los productos

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Condensadores MOS
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Condensadores de MOS de banda ancha HACC105S30V150 150pF 30V Amortiguación de dispersión de frecuencia para banda Ku Ka

Condensadores de MOS de banda ancha HACC105S30V150 150pF 30V Amortiguación de dispersión de frecuencia para banda Ku Ka

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HACC105S30V150
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: LC, D/A, D/P, T/T
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015, RoHS
Metalización superior:
Au, 2,5 um mín.
Metalización trasera:
Au, 1,0 um mín.
Temperatura de funcionamiento:
-55°C a +125°C
RoHS:
Cumple con la UE 2015/863
Clase ESD:
Clase 0 (HBM)
Tipo de montaje:
Fijación de matriz eutéctica / adherible con alambre
Resaltar:

Condensador MOS de banda ancha 150pF 30V

,

Condensador MOS banda Ku Ka

,

Condensador de amortiguación de dispersión de frecuencia

Descripción de producto

Capacitador MOS de banda ancha HACC105S30V150 150pF 30V


Resumen:El HACC105S30V150 es un condensador MOS de una sola capa (óxido metálico-semiconductor) de 30 V CC de 150 pF ± 10%, con dispersión de frecuencia amortiguada y una respuesta dieléctrica plana de CC a la banda Ka.Está destinado a cadenas de señales RF de banda ultra ancha que requieren un valor de capacitancia que no cambie con la frecuencia.


Resumen general


El HACC105S30V150 utiliza una estructura MOS de una sola capa en un sustrato de silicio de zona flotante (superior a 1000 Ω·cm) con un SiO térmico de 300 nm2El chip mide 0,50 × 0,50 × 0,15 mm con 2,5 μm mínimo de metallización de oro en la parte superior y 1,0 μm mínimo de oro en la parte posterior.La pieza es un condensador MOS de una sola capa a nivel de matriz (un condensador ligado por alambre) para conjuntos híbridos y de chips y alambres, también conocido como chip de condensador de una sola capa (SLC).


Características clave


  • Amortización por dispersión de frecuencia: variación de la capacitancia dentro de un ± 1% entre 100 Hz y 40 GHz.
  • Respuesta dieléctrica libre de dispersión de CC a la banda Ku/Ka.
  • 150 pF ± 10% (5% disponible) a 30 V de corriente continua sin desviación de corriente continua.
  • Q > 2000 a 1 MHz; bajo factor de disipación en toda la banda.
  • Las "tecnologías" incluidas en el presente anexo son las siguientes:
  • TiW-Au en la parte superior y TiW-Pt-Au en la parte posterior para fijación de alambre y fijación eutéctica.
  • Valores de capacidad personalizados disponibles en la misma plataforma de 0,50 mm.


Especificaciones eléctricas (T = 25°C a menos que se indique)


Parámetro Valor Condición de ensayo
Capacidad 150 pF ± 10% 1 MHz, 1,0 Vrs
Opciones de tolerancia de la capacidad ±10% (K), ±5% (J) ¿Qué quieres decir?
Dispersión de la capacidad Dentro del ±1% 100 Hz a 40 GHz, a 25 °C
Voltagem nominal de corriente continua 30 V Funcionamiento continuo
Resistencia dieléctrica Más de 100 V de corriente continua 1 minuto, 25 °C
Chip intrínseco ESL Bajo 0,05 nH Desintegrado de los parámetros S
Frecuencia de auto-resonancia Más de 1,5 GHz Cables de fijación típicos de 0,5 mm
Factor Q a 1 MHz > 2000 Típico
Corriente de fuga Bajo 10 nA 30 V de corriente continua, 25°C
Dieléctrico SiO térmico2, 300 nm Oxidación seca
Substrato Zona flotante Si, superior a 1000 Ω·cm Alta resistencia
Dimensiones del chip 0.50 × 0,50 × 0,15 mm ± 0,025 mm
Temperatura de funcionamiento -55°C a +125°C ¿Qué quieres decir?


Aplicaciones típicas


  • Cadenas de señales de RF de banda ultra ancha y bloqueo de banda ancha de CC
  • Modulos de microondas de banda Ku/Ka y convertidores para subir/bajar
  • Redes de coincidencia de impedancia de banda ancha y redes de derivación
  • Los extremos delanteros de las ondas milimétricas de radio 5G
  • Instrumentación de ensayo y medición de banda ancha


Condensadores de MOS de banda ancha HACC105S30V150 150pF 30V Amortiguación de dispersión de frecuencia para banda Ku Ka