ब्रॉडबैंड एमओएस कैपेसिटर HACC105S30V150 150pF 30V फ्रीक्वेंसी डिस्पर्शन डैम्पिंग फॉर कु का बैंड

ब्रॉडबैंड एमओएस कैपेसिटर HACC105S30V150 150pF 30V

सारांश: HACC105S30V150 एक 150 pF ±10%, 30 V DC सिंगल-लेयर एमओएस (मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर) कैपेसिटर है जिसमें डैम्प्ड फ्रीक्वेंसी डिस्पर्शन और डीसी से का बैंड तक एक फ्लैट डाइइलेक्ट्रिक रिस्पांस होता है। यह अल्ट्रा-वाइडबैंड आरएफ सिग्नल चेन के लिए अभिप्रेत है, जिन्हें कैपेसिटेंस मान की आवश्यकता होती है जो आवृत्ति के साथ नहीं बदलता है।

अवलोकन

HACC105S30V150 फ्लोट-ज़ोन सिलिकॉन सब्सट्रेट (1000 Ω·cm से ऊपर) पर एक सिंगल-लेयर एमओएस संरचना का उपयोग करता है जिसमें 300 nm थर्मल SiO₂ डाइइलेक्ट्रिक होता है। चिप का माप 0.50 × 0.50 × 0.15 मिमी है जिसमें 2.5 µm न्यूनतम गोल्ड टॉप मेटलाइजेशन और 1.0 µm न्यूनतम बैकसाइड गोल्ड है। यह वायर बॉन्डेबल है और यूटेक्टिक डाई अटैच के साथ संगत है। यह पार्ट हाइब्रिड और चिप-एंड-वायर असेंबली के लिए एक डाई-लेवल सिंगल-लेयर एमओएस कैपेसिटर (एक वायर बॉन्डेबल कैपेसिटर) है, जिसे सिंगल-लेयर कैपेसिटर (एसएलसी) चिप के रूप में भी जाना जाता है।

मुख्य विशेषताएं

• फ्रीक्वेंसी डिस्पर्शन डैम्पिंग: 100 हर्ट्ज से 40 गीगाहर्ट्ज तक ±1% के भीतर कैपेसिटेंस भिन्नता।
• डीसी से कु/का बैंड तक डिस्पर्शन-मुक्त डाइइलेक्ट्रिक रिस्पांस।
• 150 pF ±10% (5% उपलब्ध) 30 V डीसी पर बिना डीसी बायस डेरेटिंग के।
• 1 मेगाहर्ट्ज पर Q > 2000; बैंड में कम डिसिपेशन फैक्टर।
• 0.05 एनएच से नीचे इंट्रिन्सिक ईएसएल जिसमें 1.5 गीगाहर्ट्ज से ऊपर सेल्फ-रेजोनेंस होता है।
• वायर बॉन्ड और यूटेक्टिक डाई अटैच के लिए टीआईडब्ल्यू-एयू टॉप और टीआईडब्ल्यू-पीटी-एयू बैकसाइड।
• समान 0.50 मिमी प्लेटफॉर्म पर कस्टम कैपेसिटेंस मान उपलब्ध हैं।

विद्युत विनिर्देश (टी = 25°C जब तक कि अन्यथा नोट न किया गया हो)

विशिष्ट अनुप्रयोग

• अल्ट्रा-वाइडबैंड आरएफ सिग्नल चेन और ब्रॉडबैंड डीसी ब्लॉकिंग
• कु/का बैंड माइक्रोवेव मॉड्यूल और अप/डाउन कन्वर्टर
• ब्रॉडबैंड इम्पीडेंस मैचिंग और बायपास नेटवर्क
• 5जी मिलीमीटर-वेव रेडियो फ्रंट एंड्स
• वाइडबैंड टेस्ट और मेजरमेंट इंस्ट्रूमेंटेशन