คอนเดสเซเตอร์ MOS แบรดแบนด์ HACC105S30V150 150pF 30V ความถี่การกระจายความถี่สําหรับ Ku Ka Band

โบรดแบนด์ MOS Capacitor HACC105S30V150 150pF 30V

สรุป:The HACC105S30V150 is a 150 pF ±10%, 30 V DC single-layer MOS (metal-oxide-semiconductor) capacitor with damped frequency dispersion and a flat dielectric response from DC to the Ka band เครื่องประกอบความถี่ที่มีความถี่ที่มีความถี่ที่มีความถี่It is intended for ultra-wideband RF signal chains that require a capacitance value that does not shift with frequency มันถูกกําหนดให้ใช้กับโซ่สัญญาณ RF ที่มีความกว้างขวางมาก.

ภาพรวม

The HACC105S30V150 uses a single-layer MOS structure on a float-zone silicon substrate (above 1000 Ω·cm) with a 300 nm thermal SiO ราคาของซิลิคอนในระยะที่สูงกว่า 1000 Ω·cm₂The chip measures 0.50 × 0.50 × 0.15 mm with 2.5 μm minimum gold top metallization and 1.0 μm minimum backside gold. It is wire bondable and compatible with eutectic die attach. ชิปมีขนาด 0.50 × 0.50 × 0.15 มิลลิเมตร โดยมีทองคําขั้นต่ํา 2.5 มิลลิเมตร และทองคําด้านหลัง 1.0 มิลลิเมตรThe part is a die-level single-layer MOS capacitor (a wire bondable capacitor) สําหรับการประกอบแบบไฮบริดและชิปและสาย, also referred to as a single-layer capacitor (SLC) chip ชิปที่สามารถนํามาใช้ได้อย่างง่ายดาย

ลักษณะสําคัญ

• Frequency dispersion damping: capacitance variation within ±1% from 100 Hz to 40 GHz (ความแตกต่างของความถี่ในความถี่ในความถี่)
• การตอบสนองแบบดิจิเล็คเตอร์ฟรีจาก DC ไปยังวง Ku/Ka
• 150 pF ± 10% (5% มี) ที่ 30 V DC with no DC bias derating
• Q > 2000 at 1 MHz; หน่วยการสูญเสียที่ต่ําข้ามวงจร
• ESL ภายใต้ 0.05 nH กับการสะท้อนตัวเองเหนือ 1.5 GHz
• TiW-Au top and TiW-Pt-Au backside for wire bond and eutectic die attach และ TiW-Au top และ TiW-Pt-Au backside สําหรับสายเชื่อมและยูเทคติก die แอทช์
• ค่าความจุที่กําหนดเองที่มีอยู่บนแพลตฟอร์ม 0.50 มมเดียวกัน

รายละเอียดไฟฟ้า (T = 25°C เว้นแต่ระบุไว้)

การใช้งานทั่วไป

• Ultra-wideband RF signal chains and broadband DC blocking การปิดสัญญาณของอาร์เอฟบันด์ที่ขยายความถี่
• โมดูลไมโครเวฟ Ku/Ka แบนด์ และเครื่องปรับอัพ/ดาวน์
• เครือข่ายต่อรองความขัดขวางในวงจรขยาย และระบบบายพาส
• 5G มิลลิเมตรคลื่นวิทยุหน้าปลาย
• การทดสอบและวัดเครื่องมือแบบแผงขัด