Detalles de los productos

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Condensadores MOS
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Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Nombre De La Marca: Hoan
Número De Modelo: HACC222S50V1000
Cantidad Mínima De Pedido: 10 piezas
Condiciones De Pago: LC, D/A, D/P, T/T
Información detallada
Lugar de origen:
Shaanxi, China
Certificación:
ISO 9001:2015, RoHS
Dimensiones de los chips:
1,00 × 1,00 × 0,15 mm
Metalización superior:
TiW (100 nm) + Au (4,0 µm mín.)
Metalización trasera:
TiW-Pt-Au, Au 2,0 µm mín.
Tipo de montaje:
Accesorio de troquel eutéctico / adherible con alambre
Temperatura de funcionamiento:
-55°C a +125°C
Personalización:
Capacitancia, geometría de matriz, metalización y empaquetadura personalizados
Resaltar:

Self-Heating MOS Capacitor 2200 pF

,

Thermal Smoothing Capacitor 50V

,

Single Layer Chip Capacitor RF Power Amplifiers

Descripción de producto
Self-Heating Thermal Redistribution MOS Capacitor — HACC222S50V1000 Definition: The HACC222S50V1000 is a 2200 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. A 1.00 × 1.00 × 0.15 mm chip, an ultra-thick 4.0 µm gold top electrode, and a fully metallized TiW-Pt-Au backside create a low-thermal-resistance path that redistributes and smooths self-generated heat in RF power amplifier modules. Quick answer — at a