λεπτομέρειες προϊόντων

Created with Pixso. Σπίτι Created with Pixso. Προϊόντα Created with Pixso.
MOS Capacitors
Created with Pixso.

Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Επωνυμία: Hoan
Αριθμός μοντέλου: HACC222S50V1000
MOQ: 10 τεμάχια
Όροι πληρωμής: L/C,D/A,D/P,T/T
Λεπτομέρειες
Τόπος καταγωγής:
Shaanxi, Κίνα
Πιστοποίηση:
ISO 9001:2015, RoHS
Διαστάσεις τσιπ:
1,00 × 1,00 × 0,15 χλστ
Κορυφαία Μεταλλοποίηση:
TiW (100nm) + Au (4,0µm min)
Μεταλλοποίηση πίσω πλευράς:
TiW-Pt-Au, Au 2,0µm min
Τύπος τοποθέτησης:
Eutectic Die Attach / Wire Bondable
Θερμοκρασία λειτουργίας:
-55°C έως +125°C
Προσαρμογή:
Προσαρμοσμένη χωρητικότητα, γεωμετρία μήτρας, επιμετάλλωση και συσκευασία
Επισημαίνω:

Self-Heating MOS Capacitor 2200 pF

,

Thermal Smoothing Capacitor 50V

,

Single Layer Chip Capacitor RF Power Amplifiers

Περιγραφή προϊόντων
Self-Heating Thermal Redistribution MOS Capacitor — HACC222S50V1000 Definition: The HACC222S50V1000 is a 2200 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. A 1.00 × 1.00 × 0.15 mm chip, an ultra-thick 4.0 µm gold top electrode, and a fully metallized TiW-Pt-Au backside create a low-thermal-resistance path that redistributes and smooths self-generated heat in RF power amplifier modules. Quick answer — at a