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Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: 협상 가능 USD
Availability: InStock

브랜드 이름:	Hoan
모델 번호:	HACC222S50V1000
MOQ:	10개
지불 조건:	L/C,D/A,D/P,T/T

상세 정보

제품 설명

상세 정보

원래 장소:

중국 산시성

인증:

ISO 9001:2015, RoHS

칩 크기:

1.00×1.00×0.15mm

최고 금속화:

TiW(100nm) + Au(최소 4.0μm)

후면 금속화:

TiW-Pt-Au, Au 2.0μm 최소

장착 유형:

공융 다이 부착/와이어 본딩 가능

작동 온도:

-55°C ~ +125°C

맞춤화:

맞춤형 정전 용량, 다이 형상, 금속화 및 패킹

강조하다:

Self-Heating MOS Capacitor 2200 pF

Thermal Smoothing Capacitor 50V

Single Layer Chip Capacitor RF Power Amplifiers

제품 설명

Self-Heating Thermal Redistribution MOS Capacitor — HACC222S50V1000 Definition: The HACC222S50V1000 is a 2200 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. A 1.00 × 1.00 × 0.15 mm chip, an ultra-thick 4.0 µm gold top electrode, and a fully metallized TiW-Pt-Au backside create a low-thermal-resistance path that redistributes and smooths self-generated heat in RF power amplifier modules. Quick answer — at a

태그:

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