szczegółowe informacje o produktach

Created with Pixso. Do domu Created with Pixso. Produkty Created with Pixso.
Kondensatory MOS
Created with Pixso.

Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Nazwa marki: Hoan
Numer modelu: HACC222S50V1000
MOQ: 10 sztuk
Warunki płatności: L/C, D/A, D/P, T/T
Informacje szczegółowe
Miejsce pochodzenia:
Shaanxi, Chiny
Orzecznictwo:
ISO 9001:2015, RoHS
Wymiary chipa:
1,00 × 1,00 × 0,15 mm
Najlepsza metalizacja:
TiW (100 nm) + Au (4,0 µm min)
Metalizacja z tyłu:
TiW-Pt-Au, Au 2,0µm min
Typ mocowania:
Możliwość mocowania matrycy eutektycznej / klejenia drutem
Temperatura pracy:
-55°C do +125°C
Personalizacja:
Niestandardowa pojemność, geometria matrycy, metalizacja i pakowanie
Podkreślić:

Self-Heating MOS Capacitor 2200 pF

,

Thermal Smoothing Capacitor 50V

,

Single Layer Chip Capacitor RF Power Amplifiers

Opis produktu
Self-Heating Thermal Redistribution MOS Capacitor — HACC222S50V1000 Definition: The HACC222S50V1000 is a 2200 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. A 1.00 × 1.00 × 0.15 mm chip, an ultra-thick 4.0 µm gold top electrode, and a fully metallized TiW-Pt-Au backside create a low-thermal-resistance path that redistributes and smooths self-generated heat in RF power amplifier modules. Quick answer — at a