جزئیات محصولات

خونه محصولات

Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers

Name: Self-Heating Thermal Smoothing MOS Capacitor HACC222S50V1000 2200 pF 50V Single Layer Chip for RF Power Amplifiers
Brand: HongAn Microwave Co., Ltd.
SKU: HACC222S50V1000
Price: قابل مذاکره USD
Availability: InStock

نام تجاری:	Hoan
شماره مدل:	HACC222S50V1000
MOQ:	10 عدد
شرایط پرداخت:	L/C، D/A، D/P، T/T

اطلاعات جزئیات

توضیحات محصول

اطلاعات جزئیات

محل منبع:

شانشی، چین

گواهی:

ISO 9001:2015, RoHS

ابعاد تراشه:

1.00 × 1.00 × 0.15 میلی متر

تاپ متالیزاسیون:

TiW (100 نانومتر) + طلا (4.0 میکرومتر دقیقه)

متالیزاسیون پشت:

TiW-Pt-Au، Au 2.0μm دقیقه

نوع نصب:

اتصال قالب Eutectic / Wire Bondable

دمای عملیاتی:

-55 درجه سانتی گراد تا +125 درجه سانتی گراد

سفارشی سازی:

ظرفیت خازنی سفارشی، هندسه قالب، متالیزاسیون و بسته بندی

برجسته کردن:

Self-Heating MOS Capacitor 2200 pF

Thermal Smoothing Capacitor 50V

Single Layer Chip Capacitor RF Power Amplifiers

توضیحات محصول

Self-Heating Thermal Redistribution MOS Capacitor — HACC222S50V1000 Definition: The HACC222S50V1000 is a 2200 pF ±10%, 50 V DC, single-layer MOS capacitor on a float-zone silicon substrate with a 300 nm thermal SiO2 dielectric. A 1.00 × 1.00 × 0.15 mm chip, an ultra-thick 4.0 µm gold top electrode, and a fully metallized TiW-Pt-Au backside create a low-thermal-resistance path that redistributes and smooths self-generated heat in RF power amplifier modules. Quick answer — at a

برچسب ها:

سلف مخروطی

محرک های پهن باند

سلف هسته هوا

سلف کویل هوا

هک کننده های MOS